[發明專利]晶圓的對準方法及對準系統

在審

• 申請號: 202010574920.X
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111900116A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 李其衡;賀曉彬;劉金彪;李亭亭
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/544
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

1.一種晶圓的對準方法，其特征在于，包括：

獲取晶圓上的對位標記；

獲取預先設定的至少兩種對準計劃；

選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準；

如果對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準。

2.根據權利要求1所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述對準計劃為三個，所述對準計劃分別為第一對準計劃、第二對準計劃和第三對準計劃；

所述第一對準計劃、所述第二對準計劃和所述第三對準計劃中的對位標記、對準激光、對準位置和對準目標層的參數互不相同。

3.根據權利要求2所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述對位標記為至少三個，所述對位標記分別為第一對位標記、第二對位標記和第三對位標記，所述第一對位標記、所述第二對位標記和所述第三對位標記互不相同。

4.根據權利要求3所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準；

如果對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準包括：

選擇所述第一對準計劃對所述第一對位標記進行第一次對準；

如果第一次對準失敗，選擇所述第二對準計劃對所述第二對位標記進行第二次對準；

如果第二次對準失敗，選擇所述第三對準計劃對所述第三對位標記進行第三次對準。

5.根據權利要求4所述的晶圓的對準方法，其特征在于，在所述獲取預先設定的至少兩種對準計劃之后還包括獲取參考規格，所述參考規格分別為第一參考規格、第二參考規格和第三參考規格，所述第一參考規格、所述第二參考規格和所述第三參考規格互不相同。

6.根據權利要求5所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述選擇所述第一對準計劃對所述第一對位標記進行第一次對準包括：

運行所述第一對準計劃；

比較所述第一對位標記與所述第一參考規格；

如果所述第一對位標記不滿足所述第一參考規格，確定所述第一對準計劃對準失敗。

7.根據權利要求5所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述如果第一次對準失敗，選擇所述第二對準計劃對所述第二對位標記進行第二次對準包括：

運行所述第二對準計劃；

比較所述第二對位標記與所述第二參考規格；

如果所述第二對位標記不滿足所述第二參考規格，確定所述第二對準計劃對準失敗。

8.根據權利要求5所述的晶圓的對準方法，其特征在于，所述如果第二次對準失敗，選擇所述第三對準計劃對所述第三對位標記進行第三次對準包括：

運行所述第三對準計劃；

比較所述第三對位標記與所述第三參考規格；

如果所述第三對位標記滿足所述第三參考規格，確定所述第三對準計劃對準成功。

9.根據權利要求1所述的晶圓的對準方法，其特征在于，在所述如果對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準之后還包括：

如果對準所述對位標記成功，對所述晶圓進行曝光。

10.一種晶圓的對準系統，用于執行權利要求1的晶圓的對準方法，其特征在于，包括：

獲取模塊，所述獲取模塊用于獲取晶圓上的對位標記；

獲取模塊，所述獲取模塊用于獲取預先設定的至少兩種對準計劃；

選擇模塊，所述選擇模塊用于選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準和如果對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準。