[發明專利]半導體結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010574610.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN112420837A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李曄;李琛

1.一種半導體結構，包括：

一基底；

一漏極，配置在該基底中；

一漏極接觸點，配置在該漏極中；

一源極，配置在該基底中；

一源極接觸點，配置在該源極中；

一柵極結構，具有一底部，該柵極結構配置在該漏極與該源極之間；

一通道，配置在該柵極結構的該底部，且連接該漏極與該源極；

一漏極應力源，配置在該漏極中，并位于該柵極結構與該漏極接觸點之間；

一漏極應變硅層，配置在該基底中，并圍繞該漏極應力源，且連接該通道；

一源極應力源，配置在該源極中，并位于該源極接觸點與該柵極結構之間；以及

一源極應變硅層，配置在該基底中，并圍繞該源極應力源，且連接該通道。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該柵極結構包括一第一導電層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其中該柵極結構還包括一柵極隔離層，將該柵極結構的該第一導電層與該源極、該漏極以及該通道分開。

4.如權利要求2所述的半導體結構，還包括一金屬硅化層，配置在該柵極結構的該第一導電層上。

5.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一位元線，連接該漏極接觸點。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其中該位元線包括一第一電極以及一第二電極，該第一電極連接該漏極接觸點，該第二電極連接該第一電極。

7.如權利要求5所述的半導體結構，還包括一位元線隔離層以及一位元線間隙子，該位元線隔離層配置在該位元線上，該位元線間隙子配置在該位元線的一側壁上。

8.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一儲存節點，連接該源極接觸點。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其中該儲存節點包括一下接觸栓以及一上接觸栓，該下接觸栓連接該源極接觸點，該上接觸栓配置在該下接觸栓上。

10.如權利要求9所述的半導體結構，還包括一儲存電容以及一儲存節點間隙子，該儲存電容具有一著陸焊盤，該著陸焊盤配置在該上接觸栓上，該儲存節點間隙子覆蓋該儲存節點的側壁。

11.一種半導體結構的制備方法，包括：

提供一基底；

在該基底中形成一漏極與一源極；

通過在該基底中且位于該漏極與該源極之間形成具有一底部的一柵極結構，以形成連接該漏極與該源極的一通道，其中該通道配置在該柵極結構的該底部；

通過在該漏極中形成一漏極應力源以及在該源極中形成一源極應力源，以形成一漏極應變硅層以及一源極應變硅層，其中該漏極應變硅層與該源極應變硅層透過該通道而連接；以及

在該漏極中形成一漏極接觸點以及在該源極中形成一源極接觸點，其中該漏極應力源配置在該漏極接觸點與該柵極結構之間，該源極應力源配置在該源極接觸點與該柵極結構之間。

12.如權利要求11所述的半導體結構的制備方法，其中該基底包含硅。

13.如權利要求12所述的半導體結構的制備方法，其中該漏極應力源與該源極應力源包含硅鍺。

14.如權利要求11所述的半導體結構的制備方法，還包括：在該漏極接觸點上方形成一位元線。

15.如權利要求14所述的半導體結構的制備方法，其中形成該位元線的步驟包括下列步驟：

形成一第一電極，該第一電極連接該漏極接觸點；以及

形成一第二電極，該第二電極連接該第一電極。