[發明專利]半導體設備

在審

• 申請號: 202010573854.4
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111725105A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 馬恩澤;郭士選
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種半導體設備，包括反應腔室(100)、分子泵(200)和調節閥(400)，所述分子泵(200)設置于所述反應腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通過所述調節閥(400)與所述反應腔室(100)的內腔(110)連通，所述半導體設備還包括阻擋部(300)，所述阻擋部(300)設置于所述調節閥(400)與所述分子泵(200)的吸風口之間，所述阻擋部(300)用于實現反應生成物排出且阻擋顆粒上浮至所述內腔(110)。本方案解決現有半導體設備所生產的芯片的生產良率較低的問題。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種半導體設備。

背景技術

在半導體設備中，通常將射頻電源提供的射頻能量傳輸到反應腔室中，以此電離高真空狀態下的特殊氣體(如氬氣Ar、氦氣He、氮氣N2或氫氣H2等)，從而產生含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子的等離子體，這些活性粒子與置于反應腔室并暴露在等離子體環境下的晶圓之間發生各種物理和化學反應，從而使晶圓表面的性能產生變化，進而完成晶圓的刻蝕工藝。

隨著半導體制造設備的發展，半導體制造工藝過程中對顆粒尺寸和顆粒數量的要求不斷提高，例如，對真空反應腔室內涂層和石英陶瓷件表面的噴涂的要求越來越高，不但要求涂層有更高的耐腐蝕性，也要求涂層與反應腔室的內表面有更高的結合強度。

但是，具體的工作過程中，在反應腔室內的等離子體的轟擊下，涂層表面可能會產生大量的聚合物顆粒，當反應腔室中的調節閥動作或者反應腔室的壓力產生變化，涂層表面的聚合物顆粒將容易脫落，從而反彈至反應腔室中。如果聚合物顆粒在晶圓的刻蝕前或刻蝕中掉落，將會在晶圓表面形成掩膜，從而影響原有光刻圖形轉移，進而產生局部刻蝕缺陷，最終降低芯片生產良率。

發明內容

本發明公開一種半導體設備，以解決現有半導體設備所生產的芯片的生產良率較低的問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

一種半導體設備，包括反應腔室、分子泵和調節閥，所述分子泵設置于所述反應腔室的底部，且所述分子泵通過所述調節閥與所述反應腔室的內腔連通，所述半導體設備還包括阻擋部，所述阻擋部設置于所述調節閥與所述分子泵的吸風口之間，所述阻擋部用于實現反應生成物排出且阻擋顆粒上浮至所述內腔。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本發明實施例公開的半導體設備中，通過在調節閥與分子泵的吸風口之間設置阻擋部來阻擋反彈回流的顆粒，以防止反彈回流的顆粒進入到內腔中，從而增加了內腔的潔凈度，進而能夠提升芯片的生產良率。與此同時，相比于現有的阻擋方式，此種方式占用反應腔室較小的內部空間，以使反應腔室的維護空間加大，從而便于維護反應腔室內的各個部件，進而能夠減少維護時間，提高工作效率。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明實施例公開的半導體設備的剖視圖；

圖2為本發明實施例公開的半導體設備中的阻擋部的結構示意圖；

圖3為圖2所示結構示意圖的A-A截面的部分示意圖；

圖4為本發明另一實施例公開的半導體設備中的阻擋部的結構示意圖；

圖5為本發明另一實施例公開的半導體設備中的阻擋部在另一視角下的局部剖視圖；

圖6為本發明再一實施例公開的半導體設備中的阻擋部的局部剖視圖；

圖7為本發明實施例公開的半導體設備中的阻擋部的部分結構示意圖；