[發明專利]半導體設備

在審

• 申請號: 202010573854.4
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111725105A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 馬恩澤;郭士選
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種半導體設備，包括反應腔室(100)、分子泵(200)和調節閥(400)，所述分子泵(200)設置于所述反應腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通過所述調節閥(400)與所述反應腔室(100)的內腔(110)連通，其特征在于，所述半導體設備還包括阻擋部(300)，所述阻擋部(300)設置于所述調節閥(400)與所述分子泵(200)的吸風口之間，所述阻擋部(300)用于實現反應生成物排出且阻擋顆粒上浮至所述內腔(110)。

2.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋部(300)包括環形支架(310)和多個阻擋葉片(320)，多個所述阻擋葉片(320)間隔設置于所述環形支架(310)的內周壁，且所述阻擋葉片(320)通過所述環形支架(310)設置于所述調節閥(400)與所述分子泵(200)的吸風口之間。

3.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)的寬度方向與所述吸風口所在的表面成角度，且所述角度可根據所述調節閥(400)的開度進行調節。

4.根據權利要求3所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)的寬度方向與所述吸風口所在的表面相垂直，在與所述顆粒的反彈方向(700)相垂直的平面上，相鄰兩個所述阻擋葉片(320)之間的間隙的第一端口的投影為第一投影，所述第一端口為所述間隙朝向所述吸風口的端口，其中一個所述阻擋葉片(320)的投影為第二投影，所述第一投影處于所述第二投影之內。

5.根據權利要求3所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)的寬度方向與所述吸風口所在的表面之間的夾角小于90°，在與所述顆粒的反彈方向(700)相垂直的平面上，相鄰兩個所述阻擋葉片(320)之間的間隙的第一端口的投影為第一投影，所述第一端口為所述間隙朝向所述吸風口的端口，其中一個所述阻擋葉片(320)的投影為第二投影，所述第一投影處于所述第二投影之內。

6.根據權利要求3所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)在所述寬度方向上的兩個側邊緣均為倒圓角邊緣(321)。

7.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋部(300)還包括加強筋(330)，所述加強筋(330)與各個所述阻擋葉片(320)相連。

8.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋部(300)還包括螺釘(340)，所述環形支架(310)開設有沉臺孔(311)，所述調節閥(400)和所述分子泵(200)中的一者開設有螺紋孔，所述螺釘(340)的螺帽處于所述沉臺孔(311)，所述螺釘(340)的螺紋段穿過所述沉臺孔(311)、且與所述螺紋孔螺紋配合。

9.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)的表面設置有涂層或為噴砂處理層。

10.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于，所述阻擋葉片(320)的表面開設有間隔分布的多個凹槽(322)。