[發明專利]利用非免洗料制作硅芯的方法

在審

• 申請號: 202010573411.5
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111676510A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 余濤;冉祎;楊成;李川;陳井建
• 申請（專利權）人: 四川永祥多晶硅有限公司
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B29/06;B28D5/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張子寬

本發明公開了一種利用非免洗料制作硅芯的方法，包括如下步驟：S1：對非免洗料進行清洗、烘干；S2：對非免洗料進行單晶拉制，將非免洗料拉制成單晶棒料；S3：對單晶棒料進行整形，整形成硅芯母料；S4：對硅芯母料進行多晶拉制，形成硅芯。或者是包括如下步驟：T1：對非免洗料進行清洗、烘干；T2：對非免洗料進行多晶鑄錠，形成鑄錠件；T3：切割鑄錠件，形成硅芯。本發明將非免洗料清洗、烘干后采取了兩種方案將非免洗料轉化為硅芯料，第一種是采取單晶拉制、整形、多晶拉制的方法。第二種是采取多晶鑄錠、切割鑄錠件的方法。通過以上兩種方法就可將非免洗料轉化為硅芯。如此，提升了非免洗料的價值。

技術領域

本發明涉及多晶硅棒料中的非免洗料領域，更具體地說，涉及一種利用非免洗料制作硅芯的方法。

背景技術

多晶硅料棒被破碎后會形成單晶致密料、單晶疏松料、單晶復投料、多晶免洗珊瑚料、非免洗料以及1-3mm的小料。其中的單晶致密料、單晶疏松料、單晶復投料、多晶免洗珊瑚料都可以直接用來制備單晶料。但是非免洗料的價值較低，無法直接用來制備單晶料。1-3mm的小料也無法用來制備單晶料，因此將這些小料歸為非免洗料。另外，在利用單晶致密料、單晶疏松料、單晶復投料、多晶免洗珊瑚料制備單晶料的過程中會產生1-8mm的小料。這些小料也無法用來制備單晶料。因此，將這些小料也歸為非免洗料。

因此，如何提升非免洗料的價值，從而使非免洗料得到合理的利用，是本領域技術人員亟待解決的關鍵性問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種利用非免洗料制作硅芯的方法，從而提高非免洗料的使用價值，使非免洗料得到合理的利用。

一種利用非免洗料制作硅芯的方法，包括如下步驟：

S1：對非免洗料進行清洗、烘干；

S2：對非免洗料進行單晶拉制，將非免洗料拉制成單晶棒料；

S3：對單晶棒料進行整形，整形成硅芯母料；

S4：對硅芯母料進行多晶拉制，形成硅芯。

優選地，所述步驟S1中“對非免洗料進行水洗、烘干”具體為通過超聲波對非免洗料進行清洗，通過加熱烘干箱對非免洗料進行烘干。

優選地，在所述步驟S2中進行單晶拉制時的區熔爐溫度為1400-1500℃，拉制的速率為10-20mm/h。

優選地，所述步驟S3中的“整形成硅芯母料”具體為將單晶棒料首尾的錐部切除，并將單晶棒料切割成預設長度的硅芯母料。

優選地，非免洗料的來源為以下幾種：第一，對多晶硅棒料進行破碎后產生的非免洗料；第二，在利用單晶致密料、單晶疏松料、單晶復投料、多晶免洗珊瑚料制備單晶料的過程中產生的非免洗料；第三，所述步驟S2中的“單晶拉制”過程產生的非免洗料；第四，所述步驟S3中“整形”產生的非免洗料。

本發明還公開了另一種利用非免洗料制作硅芯的方法，包括如下步驟：

T1：對非免洗料進行清洗、烘干；

T2：對非免洗料進行多晶鑄錠，形成鑄錠件；

T3：切割鑄錠件，形成硅芯。

優選地，所述步驟T1中“對非免洗料進行水洗、烘干”具體為通過超聲波對非免洗料進行清洗，通過加熱烘干箱對非免洗料進行烘干。

優選地，所述步驟T3中“切割鑄錠件”具體為通過金剛線切割鑄錠件。

優選地，所述步驟T2中“對非免洗料進行多晶鑄錠”時的加熱溫度為1500-1600℃。

優選地，非免洗料的來源為以下幾種：第一，對多晶硅棒料進行破碎后產生的非免洗料；第二，在制備單晶料時產生的非免洗料。