[發明專利]用于化學氣相沉積處理的加熱裝置

在審

• 申請號: 202010572685.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111621771A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 李時俊;梁建軍;朱海劍
• 申請（專利權）人: 深圳市捷佳偉創新能源裝備股份有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 汪海屏;劉瀟

本發明提供了一種用于化學氣相沉積處理的加熱裝置，包括：殼體，包圍限定出腔室；加熱組件，設于腔室中，并包括多個導熱部和多個加熱部；其中，至少兩個的導熱部相互分體設置，任一導熱部與任至少一個的加熱部相配合，加熱部生發熱量，導熱部將來自加熱部的熱量散發至腔室中。本發明能夠促進腔室之中溫度的均勻分布，并由此提高載具和載具之上硅片的受熱均勻程度。

技術領域

本發明涉及硅片制造的技術領域，具體而言，涉及一種用于化學氣相沉積處理的加熱裝置。

背景技術

硅片在太陽能電池生產、半導體設備制造等諸多領域均具有廣泛的應用前景。

采用等離子增強化學氣相沉積(英文名稱：Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，英文簡稱：PECVD)是對硅片進行表面處理，是提高硅片性能的重要手段。

在實施化學氣相沉積處理時，需要采用加熱裝置對硅片進行加熱。相關技術中的其中一項不足是，加熱裝置對硅片進行加熱時的溫度均勻性不夠理想，并由此使得硅片的生產質量難以得到保證。

發明內容

本發明旨在解決上述技術問題的至少之一。

為此，本發明的目的在于提供一種用于化學氣相沉積處理的加熱裝置。

為實現本發明的目的，本發明的實施例提供了一種用于化學氣相沉積處理的加熱裝置，包括：殼體，包圍限定出腔室；加熱組件，設于腔室中，并包括多個導熱部和多個加熱部；其中，至少兩個的導熱部相互分體設置，任一導熱部與任至少一個的加熱部相配合，加熱部生發熱量，導熱部將來自加熱部的熱量散發至腔室中。

本實施例對導熱部進行了分體設置。其中，導熱部的數量為多個，相鄰或相互靠近的兩個導熱部之間相互分隔，以減少二者之間的溫度傳遞。并且，各個導熱部均設有與其各自適配的加熱部。由此，各個加熱部可分別對位于其上方的導熱部進行加熱升溫。相互分體設置的兩個或多個導熱部的溫度可被分別控制，并且溫度傳遞情況得到抑制。由此，本實施例的加熱組件對被加工件的升溫更加均勻，并由此提高了例如硅片的被加工件的產品性能。

另外，本發明上述實施例提供的技術方案還可以具有如下附加技術特征：

上述技術方案中，導熱部和加熱部之間具有第一間隙。

本實施例使得導熱部和加熱部之間具有間隙，間隙的設置能夠有效避免因導熱部局部過熱而導致的變形問題。由此，本實施例能夠有效保護導熱部，避免其變形，延長其使用壽命。

上述任一技術方案中，導熱部包括：第一導熱部；第二導熱部，圍繞第一導熱部的周緣設置；其中，第一導熱部和第二導熱部之間具有第二間隙。

設置間隙可為第一導熱部和第二導熱部受熱后出現膨脹現象留有安全余量。此外，本實施例可對位于中間位置的導熱部和位于四周位置的導熱部進行分別加熱和控制，第二間隙的設置可達到避免中間溫度和四周溫度相互干擾影響的作用。

上述任一技術方案中，第一導熱部和第二導熱部中的任一者設有缺口，第一導熱部和第二導熱部中相對于任一者的另一者設有凸起，凸起的至少一部分伸入缺口。

本實施例可實現第一導熱部和第二導熱部在安裝位置方面的相互配合，以便于導熱部并平坦且平穩地鋪設于腔室之中。

上述任一技術方案中，第一導熱部包括至少兩個并相互分體設置的第一導熱部拼接單元；和/或第二導熱部包括至少兩個并相互分體設置的第二導熱部拼接單元。

本實施列可分別對第一導熱部和第二導熱部進行進一步地分割，使得多個相互分體獨立的第一導熱部拼接單元共同限定出第一導熱部，或使得多個相互分體獨立的第二導熱部拼接單元共同限定出第二導熱部。由此，本實施例能夠進一步提高加熱裝置在升溫加熱時的升溫均勻程度。