[發(fā)明專利]電子器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010572429.3
• 申請(qǐng)日: 2020-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN112123913A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山田和夫;照井弘敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: AGC株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B32B37/12
• 分類號(hào): B32B37/12;B32B38/16;B32B38/00;B32B43/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李書慧;趙青

1.一種電子器件的制造方法，準(zhǔn)備帶電子器件用部件的層疊體，所述帶電子器件用部件的層疊體依次具備玻璃制的支承基材、作為有機(jī)硅樹脂層或硅烷偶聯(lián)劑層的粘合層、聚酰亞胺樹脂基板、和電子器件用部件，

通過(guò)對(duì)所述帶電子器件用部件的層疊體從所述支承基材側(cè)照射激光，從而由所述帶電子器件用部件的層疊體得到具有所述聚酰亞胺樹脂基板和所述電子器件用部件的電子器件，

其中，所述激光的照射能量密度為小于80mJ/cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制造方法，其中，所述激光的照射能量密度為小于55mJ/cm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件的制造方法，其中，所述激光的照射能量密度為50mJ/cm²以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中，所述激光的照射能量密度為20mJ/cm²以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件的制造方法，其中，所述激光的照射能量密度為25mJ/cm²以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中，所述粘合層為所述有機(jī)硅樹脂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件的制造方法，其中，所述有機(jī)硅樹脂層的厚度為100μm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子器件的制造方法，其中，在所述聚酰亞胺樹脂基板形成所述有機(jī)硅樹脂層，通過(guò)在所形成的所述有機(jī)硅樹脂層層疊所述支承基材而得到層疊體，

通過(guò)在所述層疊體的所述聚酰亞胺樹脂基板形成所述電子器件用部件，從而得到所述帶電子器件用部件的層疊體。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子器件的制造方法，其中，在所述支承基材形成所述有機(jī)硅樹脂層，通過(guò)在所形成的所述有機(jī)硅樹脂層上使用聚酰亞胺或聚酰亞胺前體溶解或分散于溶液中而得的溶液來(lái)形成所述聚酰亞胺樹脂基板，由此得到層疊體，通過(guò)在所述層疊體的所述聚酰亞胺樹脂基板形成所述電子器件用部件，從而得到所述帶電子器件用部件的層疊體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中，所述支承基材的厚度為1.0mm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中，從準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生所述激光。