[發明專利]保護膜形成膜、保護膜形成用片、保護膜形成用復合片及加工物的制造方法

在審

• 申請號: 202010572379.9
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN111785673A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 山本大輔;米山裕之
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/268;H01L21/56;H01L21/78;C09J7/00;C09J7/10;C09J7/20;C09J7/25;C09J7/35;C09J11/06;C09J133/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

本發明涉及具備保護膜形成膜(1)、以及疊層于該保護膜形成膜(1)的一面或兩面的剝離片(21)的保護膜形成用片(2)，所述保護膜形成膜(1)在波長1064nm的透光率為55％以上、在波長550nm的透光率為20％以下。根據該保護膜形成用片(2)，能夠形成可以利用激光預先對半導體晶片等工件設置改質層，并通過施加力進行分割，并且不會通過肉眼觀察到存在于工件或加工物上的磨痕的保護膜。

本申請是申請日為2015年1月21日、申請號為201580005141.5、發明名稱為“保護膜形成膜、保護膜形成用片、保護膜形成用復合片及加工物的制造方法”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及能夠在半導體晶片等工件、或者在對該工件進行加工而得到的加工物(例如半導體芯片)上形成保護膜的保護膜形成膜及保護膜形成用(復合)片、以及由使用它們而得到的帶保護膜的工件制造加工物的方法。

背景技術

近年來，已使用被稱為倒裝(face down)方式的安裝法來進行半導體裝置的制造。在該方法中，在安裝具有形成有凸塊等電極的電路面的半導體芯片時，將半導體芯片的電路面側接合于引線框等芯片搭載部。因此，會成為未形成電路的半導體芯片的背面側露出的結構。

因此，為了對半導體芯片加以保護，多數情況下在半導體芯片的背面側形成由硬質的有機材料構成的保護膜。該保護膜例如可使用專利文獻1或2所示那樣的半導體背面用膜或切割膠帶一體型晶片背面保護膜而形成。

利用專利文獻1中的半導體背面用膜，可使波長532nm或1064nm下的透光率達到20％以下。由此，不僅能夠實現基于激光照射的打印加工，同時可以防止由激光對半導體元件造成的不良影響。另外，利用專利文獻2中的晶片背面保護膜，可使可見光透射率達到20％以下。由此，可減小因光線透過而對半導體元件造成的影響。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-28396號公報

專利文獻2：日本特開2012-235168號公報

發明內容

發明要解決的課題

但是，在由半導體晶片等工件制造包含半導體芯片等的片狀體的加工物時，以往通常會進行如下的刀切加工：一邊對工件噴吹用于清洗等的液體一邊用旋轉切刀將工件切斷，從而得到片狀體。但近年來，采用了能夠以干式法分割成片狀體的Stealth Dicing(注冊商標)加工。在Stealth Dicing(注冊商標)加工中，照射開口度(NA)大的激光，使得在工件內部預先形成改質層并使工件的表面附近所受的損傷為最小限度，然后在擴片(expand)工序等對工件施加力而得到片狀體。

另一方面，在半導體芯片的背面通常殘留有因對半導體晶片實施的背面研磨處理加工而引起的磨痕。從半導體芯片外觀的觀點考慮，期望該磨痕可以不被肉眼識別，期望可利用上述的保護膜加以掩蔽。

本發明鑒于如上所述的實際情況而完成，其目的在于提供一種保護膜形成膜及保護膜形成用(復合)片、以及使用它們由半導體芯片等的片狀體得到加工物的制造方法，所述保護膜形成膜及保護膜形成用(復合)片能夠形成可利用激光預先對半導體晶片等工件設置改質層，并通過施加力進行分割，并且不會通過肉眼觀察到存在于工件或加工物上的磨痕的保護膜。

解決課題的方法