[發(fā)明專利]保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片、保護(hù)膜形成用復(fù)合片及加工物的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010572379.9 | 申請(qǐng)日: | 2015-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111785673A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山本大輔;米山裕之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 琳得科株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/268;H01L21/56;H01L21/78;C09J7/00;C09J7/10;C09J7/20;C09J7/25;C09J7/35;C09J11/06;C09J133/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保護(hù)膜 形成 復(fù)合 加工 制造 方法 | ||
1.一種保護(hù)膜形成膜,其在波長(zhǎng)1064nm的透光率為55%以上、在波長(zhǎng)550nm的透光率為20%以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成膜,其中,所述保護(hù)膜形成膜包含在常溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂和在常溫下為固體的環(huán)氧樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成膜,其中,所述保護(hù)膜形成膜含有有機(jī)系著色劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)膜形成膜,其中,所述有機(jī)系著色劑包含顏料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成膜,其中,所述保護(hù)膜形成膜是由未固化的固化性粘接劑構(gòu)成的單層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)膜形成膜,其中,所述固化性粘接劑含有平均粒徑0.01~3μm的填料。
7.一種保護(hù)膜形成用復(fù)合片,其具備:
在基材的一面?zhèn)券B層粘合劑層而成的粘合片、和
疊層于所述粘合片的所述粘合劑層側(cè)的權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成膜。
8.一種激光打印方法,該方法包括:
在表面形成有電路、且經(jīng)過了背面研磨處理加工的半導(dǎo)體晶片的背面粘貼權(quán)利要求7所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的保護(hù)膜形成膜的工序;
使所述保護(hù)膜形成膜固化而形成保護(hù)膜的工序;以及
對(duì)所述保護(hù)膜照射激光而進(jìn)行激光打印的工序。
9.一種存在于經(jīng)過了背面研磨處理加工的半導(dǎo)體晶片的背面的磨痕的掩蔽方法,該方法包括:
在表面形成有電路、且經(jīng)過了背面研磨處理加工的半導(dǎo)體晶片的背面粘貼權(quán)利要求7所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的保護(hù)膜形成膜的工序;以及
使所述保護(hù)膜形成膜固化而形成保護(hù)膜的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





