[發明專利]蝕刻方法和等離子體處理裝置在審

申請號：	202010572315.9	申請日：	2020-06-22
公開（公告）號：	CN112185789A	公開（公告）日：	2021-01-05
發明（設計）人：	有吉文彬;淺原玄德;相澤俊介;伏見彰仁	申請（專利權）人：	東京毅力科創株式會社
主分類號：	H01J37/32	分類號：	H01J37/32;H01L21/3065
代理公司：	北京尚誠知識產權代理有限公司 11322	代理人：	龍淳;劉芃茜
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	蝕刻方法等離子體處理裝置
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【說明書】：

本發明提供蝕刻方法和等離子體處理裝置。蝕刻方法由在載置于支承臺的基片的周圍具有環狀部件的等離子體處理裝置實施，該蝕刻方法中，上述環狀部件包括第1環狀部件和比上述第1環狀部件靠外側配置的第2環狀部件，上述第1環狀部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面與上述支承臺的上表面之間的空間，上述蝕刻方法包括：根據上述第2環狀部件的消耗量，利用上述第1環狀部件調整上述空間的介電常數的工序；和蝕刻上述基片的工序。本發明能夠改善基片的外周部的蝕刻特性。

技術領域

本發明涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，等離子體處理裝置通過使處理氣體激發而生成等離子體。使用所生成的等離子體在基片進行蝕刻處理時的蝕刻特性的面內均勻性的要求在變高。

專利文獻1中，為了提高蝕刻特性的面內均勻性，提案了能夠減少在基片的周緣部背面側產生沉積物(副生成物)的聚焦環和等離子體處理裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-277369號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

根據在基片上形成的膜種類或者蝕刻條件，基片上的蝕刻特性的表現多種多樣。由此，需要根據各種各樣的條件得到蝕刻特性的面內均勻性，特別要求有能夠調整基片的外周部的蝕刻特性的技術。

本發明提供能夠改善基片的外周部的蝕刻特性的蝕刻方法和等離子體處理裝置。

用于解決技術問題的技術方案

依照本發明的一個方式，提供由在載置于支承臺的基片的周圍具有環狀部件的等離子體處理裝置實施的蝕刻方法，其中，上述環狀部件包括第1環狀部件和比上述第1環狀部件靠外側配置的第2環狀部件，上述第1環狀部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面與上述支承臺的上表面之間的空間，上述蝕刻方法包括：根據上述第2環狀部件的消耗量，利用上述第1環狀部件調整上述空間的介電常數的工序；和蝕刻上述基片的工序。

發明效果

依照一個方面的發明，能夠改善基片的外周部的蝕刻特性。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的等離子體處理裝置的一個例子的截面示意圖。

圖2是表示一個實施方式的靜電吸盤和環狀部件的分割結構的圖。

圖3是用于說明阻抗的調整的圖。

圖4是表示基于一個實施方式的環狀部件的分割結構的、等離子體控制的一個例子的圖。

圖5是表示基于一個實施方式的環狀部件的分割結構的、傾斜角度的測量結果例的圖。

圖6是表示根據一個實施方式的第2環狀部件的消耗量進行的等離子體控制的一個例子的圖。

圖7是表示根據一個實施方式的第2環狀部件的消耗量進行的等離子體控制的一個例子的圖。

圖8是表示一個實施方式的變形例1的環狀部件的分割結構的圖。

圖9是表示一個實施方式的變形例1的第1環狀部件的材料的一個例子的圖。