[發明專利]蝕刻方法和等離子體處理裝置在審
| 申請號： | 202010572315.9 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN112185789A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 有吉文彬;淺原玄德;相澤俊介;伏見彰仁 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種蝕刻方法，其由在載置于支承臺的基片的周圍具有環狀部件的等離子體處理裝置實施，所述蝕刻方法的特征在于：
所述環狀部件包括第1環狀部件和比所述第1環狀部件靠外側配置的第2環狀部件，
所述第1環狀部件的至少一部分配置在所述基片的外周部的下表面與所述支承臺的上表面之間的空間，
所述蝕刻方法包括：
根據所述第2環狀部件的消耗量，利用所述第1環狀部件調整所述空間的介電常數的工序；和
蝕刻所述基片的工序。
2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：
調整所述空間的介電常數的工序改變所述第1環狀部件的材質、厚度和形狀的至少任一者來進行調整。
3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
調整所述空間的介電常數的工序改變相對于所述第2環狀部件的介電常數的、所述第1環狀部件的介電常數，來進行調整。
4.如權利要求1～3中的任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述第1環狀部件在周向被分割為多個，在周向調整所述空間的介電常數。
5.如權利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于：
相鄰的所述第1環狀部件的材質、厚度和形狀的至少任一者不同。
6.如權利要求4或5所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述第1環狀部件根據所述基片的外周部的蝕刻特性將介電常數不同的多個所述第1環狀部件配置在周向上。
7.如權利要求1～6中的任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述第1環狀部件的材質為石英、陶瓷、樹脂、硅或硅碳化物的任一種。
8.如權利要求7所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述陶瓷為氧化鋁、氧化鋯或堇青石的任一種。
9.如權利要求7或8所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述樹脂為PTFE或PEEK的任一種。
10.一種等離子體處理裝置，其特征在于：
具有實施權利要求1～9中任一項所述的蝕刻方法的控制部。
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