[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請號: 202010572184.4
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111653578A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 朱正勇;趙欣;胡雙;馬志麗
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 段月欣

本發明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。薄膜晶體管陣列基板包括層疊設置的半導體層、柵極層和源漏極層，且所述半導體層與所述柵極層之間、以及所述柵極層和所述源漏極層之間分別通過絕緣層相間隔，所述半導體層包括源極區、漏極區和位于所述源極區和漏極區之間的溝道區，所述溝道區摻雜有分子量≥25的P型雜質，且摻雜深度為1nm～20nm。本發明公開的薄膜晶體管陣列基板具有較高的電性一致性和穩定性，并且能有效降低顯示面板和顯示裝置的殘影現象，提高顯示效果。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示可具有視角寬、驅動電壓低、響應速度快、發光色彩豐富、可實現大面積柔性顯示等優點，是目前被廣泛關注的顯示技術之一。其中有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)顯示技術是起源于OLED的一種顯示技術，其具有自發光、功耗低、可實現更大尺寸化等特點，在顯示技術領域得到了高度重視。

然而，當(AM)OLED顯示面板的不同區域像素電路工作在不同亮度畫面顯示一段時間后，切換到相同灰階時，不同區域亮度會產生差異，即表現為殘影不良，嚴重影響視覺效果。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供一種能減輕殘影現象的薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

本發明第一方面提供一種TFT陣列基板，其包括層疊設置的半導體層、柵極層和源漏極層，且半導體層與柵極層之間、以及柵極層和源漏極層之間分別通過絕緣層相間隔，半導體層包括源極區、漏極區和位于源極區和漏極區之間的溝道區，溝道區摻雜有分子量≥25的P型雜質，且摻雜深度為1nm～20nm，柵極層包括柵極，柵極與溝道區對應設置，源漏極層包括相間隔設置的源極和漏極，源極與源極區電連接，漏極與漏極區電連接。

在本發明第一方面的任一實施方式中，摻雜深度可以為3nm～15nm。

在本發明第一方面的任一實施方式中，溝道區的P型雜質摻雜濃度可以為3×10¹¹cm^-2～2×10¹²cm^-2，或5×10¹¹cm^-2～1×10¹²cm^-2。

在本發明第一方面的任一實施方式中，P型雜質可選自銦、BF、BF₂中的一種或多種，優選BF₂。

在本發明第一方面的任一實施方式中，半導體層可以為多晶硅(Ploy Silicon，P-Si)膜層。

在本發明第一方面的任一實施方式中，多晶硅膜層的氫含量可以為0.01％～3％，或0.01％～2％；和/或，多晶硅膜層中多晶硅的顆粒粒徑可以為0.2μm～0.4μm，或0.2μm～0.3μm。

在本發明第一方面的任一實施方式中，TFT陣列基板可包括依次層疊設置的半導體層、柵極絕緣層、柵極層、內部絕緣層和源漏極層；

優選地，柵極絕緣層可包括硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一種或多種。

本發明第二方面提供一種TFT陣列基板的制造方法，其包括以下步驟：

形成半導體層，半導體層包括源極區、漏極區和位于源極區和漏極區之間的溝道區，溝道區摻雜有分子量≥25的P型雜質，且摻雜深度為1nm～20nm；

形成柵極層，柵極層包括柵極，柵極與溝道區對應設置；