[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請號: 202010572184.4
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111653578A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 朱正勇;趙欣;胡雙;馬志麗
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 段月欣

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括層疊設置的半導體層、柵極層和源漏極層，且所述半導體層與所述柵極層之間、以及所述柵極層和所述源漏極層之間分別通過絕緣層相間隔，

所述半導體層包括源極區、漏極區和位于所述源極區和漏極區之間的溝道區，所述溝道區摻雜有分子量≥25的P型雜質，且摻雜深度為1nm～20nm，

所述柵極層包括柵極，所述柵極與所述溝道區對應設置，

所述源漏極層包括相間隔設置的源極和漏極，所述源極與所述源極區電連接，所述漏極與所述漏極區電連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述摻雜深度為3nm～15nm。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述溝道區的P型雜質摻雜濃度為3×10¹¹cm^-2～2×10¹²cm^-2，或5×10¹¹cm^-2～1×10¹²cm^-2。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述P型雜質選自銦、BF、BF₂中的一種或多種，優選BF₂。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導體層為多晶硅膜層。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述多晶硅膜層的氫含量為0.01％～3％，或0.01％～2％；和/或，

所述多晶硅膜層中多晶硅的顆粒粒徑為0.2μm～0.4μm，或0.2μm～0.3μm。

7.根據權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括依次層疊設置的半導體層、柵極絕緣層、柵極層、內部絕緣層和源漏極層；

優選地，所述柵極絕緣層包括硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一種或多種。

8.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成半導體層，所述半導體層包括源極區、漏極區和位于所述源極區和漏極區之間的溝道區，所述溝道區摻雜有分子量≥25的P型雜質，且摻雜深度為1nm～20nm；

形成柵極層，所述柵極層包括柵極，所述柵極與所述溝道區對應設置；

形成源漏極層，所述源漏極層包括相間隔設置的源極和漏極，所述源極與所述源極區電連接，所述漏極與所述漏極區電連接；

其中，所述半導體層與所述柵極層之間、以及所述柵極層和所述源漏極層之間分別通過絕緣層相間隔。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-7所述的薄膜晶體管陣列基板或如權利要求8所述方法制造的薄膜晶體管陣列基板。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的顯示面板。