[發明專利]半導體鍍膜設備中的溫度調整方法及半導體鍍膜設備

有效

• 申請號: 202010571846.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111719130B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 王馨夢;申震
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C16/52;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 朱文杰

本發明實施例公開了一種半導體鍍膜設備中的溫度調整方法及半導體鍍膜設備，所述方法包括：基于工藝文件對電池中的晶片進行鍍膜工藝后，獲取膜厚不合格的晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定所述工藝腔室內待調整的目標溫區，并確定對應的溫度參數調整方案；基于所述溫度參數調整方案，對工藝腔室內待調整的所述目標溫區的顯示熱偶和/或控制熱偶的溫度設定值進行調整，并通過調整后的溫度設定值對所述工藝文件進行更新，基于更新后的所述工藝文件對待鍍膜晶片進行鍍膜工藝。通過本方法，可以提高鍍膜工藝的工作效率。

技術領域

本發明涉及光伏設備技術領域，尤其涉及一種半導體鍍膜設備中的溫度調整方法及半導體鍍膜設備。

背景技術

隨著晶體硅的制造技術提升，基體晶片的體載流子壽命不斷提高，已經不再是制約電池效率提升的關鍵因素。在電池的生產過程中，為降低成本以及技術的不斷發展，晶片越來越薄。隨之產生的問題就是電池表面的復合嚴重，降低了電池的轉化效率，這就為太陽能電池表面鍍膜技術提出了新的挑戰。

在實際的量產的太陽能電池鍍膜工藝中，每當一爐工藝結束后，質檢員都會對晶片的膜厚進行檢測，當檢測到不合格的晶片膜厚時，會將不合格的晶片信息交給具有一定經驗的工藝人員；工藝人員根據經驗給出需要調整工藝的參數；然后輸入到設備的軟件中，這樣設備的下一爐工藝將按照新的工藝參數進行工藝。

現有的提高鍍膜工藝膜厚合格率的方案是建立在兩種工種的配合模式下，需要質檢員和工藝員的合作才可以對鍍膜工藝進行優化，從而提高膜厚合格率。兩種工種的配合就增加了人力成本，而且跨部門的合作也降低了工作的效率。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種半導體鍍膜設備中的溫度調整方法及半導體鍍膜設備，以解決現有技術中在為提高電池表面的鍍膜工藝的合格率時，存在的人力成本較高，工作效率較低的問題。

為解決上述技術問題，本發明實施例是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供的一種半導體鍍膜設備中的溫度調整方法，包括：

基于工藝文件對電池中的晶片進行鍍膜工藝后，獲取膜厚不合格晶片的信息；

基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定所述工藝腔室內待調整的目標溫區，并確定對應的溫度參數調整方案；

基于所述溫度參數調整方案，對工藝腔室內待調整的所述目標溫區的顯示熱偶和/或控制熱偶的溫度設定值進行調整，并通過調整后的溫度設定值對所述工藝文件進行更新，基于更新后的所述工藝文件對待鍍膜晶片進行鍍膜工藝。

可選地，所述基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定對應的溫度參數調整方案，包括：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，獲取所述不合格晶片的膜厚數據；

根據所述不合格晶片的膜厚數據，獲取所述目標溫區內，所述不合格晶片的膜厚與基準膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，確定對應的溫度參數調整方案。

可選地，所述基于所述偏差值，確定對應的溫度參數調整方案，包括：

獲取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應的所述溫度參數調整方案。

可選地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應的所述溫度參數調整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都處于預設可調范圍內的情況下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，則所述溫度參數調整方案為在恒溫步驟對所述顯示熱偶進行調整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定所述溫度參數調整方案中的第一溫度參數；