[發(fā)明專利]半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中的溫度調(diào)整方法及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010571846.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111719130B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王馨夢;申震
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C16/52;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 朱文杰

1.一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中的溫度調(diào)整方法，包括：

基于工藝文件對電池中的晶片進(jìn)行鍍膜工藝后，獲取膜厚不合格晶片的信息；

基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)，并確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案；

基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的所述目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶和/或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，并通過調(diào)整后的溫度設(shè)定值對所述工藝文件進(jìn)行更新，基于更新后的所述工藝文件對待鍍膜晶片進(jìn)行鍍膜工藝；

所述基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，獲取所述不合格晶片的膜厚數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述不合格晶片的膜厚數(shù)據(jù)，獲取所述目標(biāo)溫區(qū)內(nèi)，所述不合格晶片的膜厚與基準(zhǔn)膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案；

所述基于所述偏差值，確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

獲取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都處于預(yù)設(shè)可調(diào)范圍內(nèi)的情況下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，則所述溫度參數(shù)調(diào)整方案為在恒溫步驟對所述顯示熱偶進(jìn)行調(diào)整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第一溫度參數(shù)；

所述基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，包括：

基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第一溫度參數(shù)，對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都處于預(yù)設(shè)可調(diào)范圍內(nèi)的情況下，若所述最小偏差值小于0，且所述最大偏差值大于0，則所述溫度參數(shù)調(diào)整方案為在淀積步驟對所述控制熱偶的溫度下限值進(jìn)行調(diào)整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第二溫度參數(shù)；

所述基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，包括：

基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第二溫度參數(shù)，在淀積步驟對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的控制熱偶的溫度下限值進(jìn)行調(diào)整。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都處于預(yù)設(shè)可調(diào)范圍內(nèi)的情況下，若所述最小偏差值和最大偏差值中，任意一個偏差值為0，且另一個偏差值不為0，則所述溫度參數(shù)調(diào)整方案為在恒溫步驟對所述控制熱偶的溫度上限值進(jìn)行調(diào)整的方案；

基于所述最小偏差值和所述最大偏差值，確定所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第三溫度參數(shù)；

所述基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，包括：

基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案中的第三溫度參數(shù)，在恒溫步驟對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的控制熱偶的溫度上限值進(jìn)行調(diào)整。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值中存在一個偏差值未處于預(yù)設(shè)可調(diào)范圍內(nèi)的情況下，確定溫度參數(shù)調(diào)整方案為設(shè)備故障報(bào)警方案；

所述基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，包括：

輸出預(yù)設(shè)報(bào)警信息，以使對應(yīng)的工作人員對所述半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備進(jìn)行故障檢修。

6.一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，包括：上位機(jī)、下位機(jī)、 爐管、顯示熱偶、控制熱偶、工藝腔室，其中，

所述上位機(jī)用于基于工藝文件對電池中的晶片進(jìn)行鍍膜工藝后,獲取膜厚不合格晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，確定所述工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的目標(biāo)溫區(qū)，并確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案；基于所述溫度參數(shù)調(diào)整方案，對工藝腔室內(nèi)待調(diào)整的所述目標(biāo)溫區(qū)的顯示熱偶和/或控制熱偶的溫度設(shè)定值進(jìn)行調(diào)整，并通過調(diào)整后的溫度設(shè)定值對所述工藝文件進(jìn)行更新；

所述下位機(jī)與所述上位機(jī)相連，且所述下位機(jī)與爐管對應(yīng)，所述下位機(jī)用于基于更新后的所述工藝文件對待鍍膜晶片進(jìn)行鍍膜工藝；

所述上位機(jī)，還用于：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，獲取所述不合格晶片的膜厚數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述不合格晶片的膜厚數(shù)據(jù)，獲取所述目標(biāo)溫區(qū)內(nèi)，所述不合格晶片的膜厚與基準(zhǔn)膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，確定對應(yīng)的溫度參數(shù)調(diào)整方案；

所述上位機(jī)，還用于：

獲取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，確定對應(yīng)的所述溫度參數(shù)調(diào)整方案。