[發明專利]轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構

在審

• 申請號: 202010571641.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903721A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 蔡巧明;楊列勇;陳煒;盧小雨
• 申請（專利權）人: 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/522;H01L21/48;H01L23/31
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

一種轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構，轉接板的形成方法包括：提供基底，包括互連區和電容區，基底包括相背的正面和背面；對基底的正面進行刻蝕，在互連區的基底中形成第一溝槽、以及在電容區的基底中形成第二溝槽；在第二溝槽中形成電容器；刻蝕第一溝槽下方的部分厚度基底，形成導電通孔；在導電通孔中形成通孔互連結構；對基底的背面進行減薄處理，露出通孔互連結構。本發明實施例還在轉接板中形成電容器，從而將形成電容器和形成轉接板的工藝相整合，省去了額外進行形成電容器的步驟，有利于節約工序、提高工藝整合度，進而降低工藝成本、縮短生產周期，而且還提高轉接板的功能多樣性，從而使轉接板的應用場景多樣化。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構。

背景技術

隨著技術的進步，以硅中介層(Silicon Interposer)為基礎的三維(3D)集成電路(或2.5D集成電路等)成為最有希望的解決方案，以增強系統性能、降低耗電以及支持異構集成(Heterogeneous Integration))。

硅中介層是用硅片做的類似電路板(PCB)的連接結構，但其線寬、節點間距等都比電路板小。不同功能的芯片，比如CPU、DRAM等能夠連接至同一硅中介層上，從而能夠通過硅中介層完成許多運算和數據交流，這樣做能夠省電，增加帶寬。此外，硅中介層還具有減少信號長度、適用異構集成、增加系統單芯片(System on Chip，SOC)的產品成品率等優點。

類似于PCB，硅中介層中通常具有硅通孔(Through Silicon Via，TSV)互連結構，不同芯片之間聯合運算的結果，能夠通過TSV傳到與之連接的電路板。所以硅中介層相當于連接多個芯片和同一電路板之間的橋梁。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構，提高器件的性能。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種轉接板的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成通孔互連結構的互連區、以及用于形成電容器的電容區，基底包括相背的正面和背面；對所述基底的正面進行刻蝕，在所述互連區的基底中形成第一溝槽、以及在所述電容區的基底中形成第二溝槽；在所述第二溝槽中形成電容器，所述電容器包括位于第二溝槽的側壁和底部上的第一電極、位于第一電極上的電容介質層以及位于電容介質層上的第二電極，第二電極填充所述第二溝槽；形成所述電容器后，刻蝕所述第一溝槽下方的部分厚度所述基底，在基底中形成凹槽，所述凹槽與所述第一溝槽構成導電通孔；在所述導電通孔中形成通孔互連結構；對所述基底的背面進行減薄處理，使所述基底的背面露出通孔互連結構。

相應的，本發明實施例還提供一種封裝方法，包括：提供線路板；將本發明實施例提供的轉接板鍵合于線路板上，使所述通孔互連結構與線路板電連接，基底的背面與所述線路板相對設置；提供芯片；將所述芯片鍵合于本發明實施例提供的轉接板的形成方法所形成的轉接板上，使所述芯片與所述電容器電連接，且使所述芯片與所述通孔互連結構電連接，其中，芯片位于所述基底的正面上。

相應的，本發明實施例還提供一種轉接板，包括：基底，包括用于形成通孔互連結構的互連區、以及用于形成電容器的電容區，基底包括相背的正面和背面；電容器，位于所述電容區的部分厚度基底中，所述電容器包括與基底相接觸的第一電極、位于第一電極上的電容介質層以及位于電容介質層上的第二電極，第二電極的側壁相接觸，所述電容器的頂面背向所述基底的背面；通孔互連結構，貫穿所述互連區的基底。

相應的，本發明實施例還提供一種封裝結構，包括：線路板；本發明實施例提供的轉接板，鍵合于所述線路板上，所述通孔互連結構與線路板電連接，所述基底的背面與線路板相對設置；芯片，鍵合于所述轉接板上，所述芯片與電容器電連接，且芯片與通孔互連結構電連接，其中，芯片位于所述基底的正面上。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下優點：