[發明專利]轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構

在審

• 申請號: 202010571641.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903721A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 蔡巧明;楊列勇;陳煒;盧小雨
• 申請（專利權）人: 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/522;H01L21/48;H01L23/31
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種轉接板的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括用于形成通孔互連結構的互連區、以及用于形成電容器的電容區，基底包括相背的正面和背面；

對所述基底的正面進行刻蝕，在所述互連區的基底中形成第一溝槽、以及在所述電容區的基底中形成第二溝槽；

在所述第二溝槽中形成電容器，所述電容器包括位于第二溝槽的側壁和底部上的第一電極、位于第一電極上的電容介質層以及位于電容介質層上的第二電極，第二電極填充所述第二溝槽；

形成所述電容器后，刻蝕所述第一溝槽下方的部分厚度所述基底，在基底中形成凹槽，所述凹槽與所述第一溝槽構成導電通孔；

在所述導電通孔中形成通孔互連結構；

對所述基底的背面進行減薄處理，使所述基底的背面露出通孔互連結構。

2.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述第一溝槽和第二溝槽的步驟中，所述第一溝槽的開口尺寸大于所述第二溝槽的開口尺寸。

3.如權利要求2所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述電容器的步驟中，所述電容器還形成于所述第一溝槽的側壁和底面，其中，所述電容器位于第一溝槽側壁的部分作為電容側部，所述電容器位于第一溝槽底面的部分作為電容底部；

形成所述凹槽的步驟包括：去除所述電容側部露出的電容底部，露出所述第一溝槽的部分底面；刻蝕所述電容側部露出的第一溝槽下方的部分厚度基底，形成所述凹槽。

4.如權利要求3所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述第一溝槽的步驟中，所述第一溝槽的開口尺寸為第一尺寸；

形成電容器的步驟中，沿垂直于第一溝槽側壁的方向，所述電容側部的厚度為第二尺寸，所述第二尺寸為第一尺寸的10％至30％。

5.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述第一溝槽和第二溝槽之后，在形成所述電容器之前，所述轉接板的形成方法還包括：在所述第一溝槽的側壁和底面、以及第二溝槽的側壁和底面形成第一絕緣層。

6.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述導電通孔之后，在形成所述通孔互連結構之前，所述轉接板的形成方法還包括：在所述導電通孔的底面和側壁上形成第二絕緣層。

7.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，采用各向異性干法刻蝕工藝，對所述基底的正面進行刻蝕，形成所述第一溝槽和第二溝槽。

8.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料包括摻雜有導電離子的多晶硅。

9.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，形成所述電容器的工藝包括原子層沉積工藝、化學氣相沉積工藝和物理氣相沉積工藝中的一種或多種。

10.如權利要求1所述的轉接板的形成方法，其特征在于，采用各向異性干法刻蝕工藝，刻蝕所述第一溝槽下方的部分厚度所述基底。

11.一種封裝方法，其特征在于，包括：

提供線路板；

將如權利要求1至10任一項所述的方法形成的轉接板鍵合于所述線路板上，使所述通孔互連結構與線路板電連接，所述基底的背面與所述線路板相對設置；

提供芯片；

將所述芯片鍵合于如權利要求1至10任一項所述的方法形成的轉接板上，使所述芯片與所述電容器電連接，且使所述芯片與所述通孔互連結構電連接，其中，芯片位于所述基底的正面上。