[發(fā)明專利]包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010570952.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112447477B | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金龍洙;金亨源;鄭熙錫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 吉佳藍(lán)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鮮英;張敬強(qiáng) |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 改善 等離子體 處理 垂直 聚焦 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置，包括：腔室，其構(gòu)成利用等離子體處理基板的區(qū)域；卡盤，其以在上部安放所述基板的方式位于所述腔室；第一部分，其以安放所述基板的方式形成于卡盤的內(nèi)側(cè)；第二部分，其以低于所述第一部分的高度形成于所述卡盤的外側(cè)；以及聚焦環(huán)，其覆蓋所述第二部分，并以使所述第一部分的內(nèi)側(cè)露出的方式覆蓋所述第二部分的外側(cè)，所述聚焦環(huán)包括：第一主體部，其與所述第二部分的上面相接；以及第二主體部，其在所述第一主體部的內(nèi)側(cè)構(gòu)成臺(tái)階地形成而與所述第一部分的上面相接。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)
如圖1所圖示，等離子體處理裝置是利用等離子體處理基板100(例如，刻蝕、蒸鍍等)的裝置。
等離子體處理裝置的構(gòu)件中，聚焦環(huán)400是防止安放基板100的卡盤300被等離子體處理的等離子體處理裝置的主要構(gòu)件。
尤其，對(duì)于被施加向基板100誘導(dǎo)等離子體的偏置電源的卡盤300，聚焦環(huán)400是必備構(gòu)件。
此時(shí)，構(gòu)成聚焦環(huán)400的物質(zhì)可以是電介質(zhì)(例如，SiO2，Al2O3等)或半導(dǎo)體(例如，Si等)。
在這樣的包括聚焦環(huán)400的等離子體處理裝置利用等離子體處理基板100的過程中，包括基板100的外側(cè)的基板100與聚焦環(huán)400之間的周邊更受基板100側(cè)誘導(dǎo)力(inducedforce；將等離子體拉向卡盤的力)的影響，因而等離子體入射角(plasma incident angle)會(huì)向基板100側(cè)傾斜。
如此，當(dāng)?shù)入x子體入射角傾斜時(shí)，基板100的外側(cè)被入射角傾斜的等離子體處理，而被入射角傾斜的等離子體處理的基板100的外側(cè)存在等離子體處理垂直度(plasmatreatment vertical angle)傾斜的問題(例如，以垂直的0度為基準(zhǔn)向+側(cè)或-側(cè)傾斜而進(jìn)行刻蝕的問題；參考垂直指標(biāo)(vertical indicators))。
這樣的問題會(huì)導(dǎo)致基板100的可利用面積減少，基板100的面積變得越大，可利用面積變得越小。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明的目的在于，提供一種包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置。
技術(shù)方案
本發(fā)明的實(shí)施例的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置包括：腔室，其構(gòu)成利用等離子體處理基板的區(qū)域；卡盤，其以在上部安放所述基板的方式位于所述腔室；第一部分，其以安放所述基板的方式形成于卡盤的內(nèi)側(cè)；第二部分，其以低于所述第一部分的高度形成于所述卡盤的外側(cè)；以及聚焦環(huán)，其覆蓋所述第二部分，并以使所述第一部分的內(nèi)側(cè)露出的方式覆蓋所述第二部分的外側(cè)，所述聚焦環(huán)包括：第一主體部，其與所述第二部分的上面相接；以及第二主體部，其在所述第一主體部的內(nèi)側(cè)構(gòu)成臺(tái)階地形成而與所述第一部分的上面相接。
根據(jù)一實(shí)施例，所述改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置的特征在于，所述第一部分包括：電介質(zhì)，其與所述基板的下面相接；以及電極線，其包含于所述電介質(zhì)，所述電極線以位于所述第二主體部的下部的方式延伸。
根據(jù)一實(shí)施例，所述改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置包括：金屬層，其位于所述第二主體部的下部，且被施加所述電極線的靜電力，以使所述第二主體部與所述電介質(zhì)貼緊。
根據(jù)一實(shí)施例，改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置的特征在于，所述金屬層采用蒸鍍、鍍金及濺射中的一個(gè)方法形成。
根據(jù)一實(shí)施例，所述包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環(huán)的等離子體處理裝置包括：第三主體部，其構(gòu)成臺(tái)階地向所述第二主體部的內(nèi)側(cè)延伸而覆蓋所述基板的外側(cè)。
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