[發明專利]包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 202010570952.2
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112447477B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 金龍洙;金亨源;鄭熙錫
• 申請（專利權）人: 吉佳藍科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;張敬強

1.一種包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

腔室，其構成利用等離子體處理基板的區域；

卡盤，其以在上部安放所述基板的方式位于所述腔室；

第一部分，其以安放所述基板的方式形成于卡盤的內側；

第二部分，其以低于所述第一部分的高度形成于所述卡盤的外側；以及

聚焦環，其覆蓋所述第二部分，并以使所述第一部分的內側露出的方式覆蓋所述第一部分的外側，

所述聚焦環包括：

第一主體部，其與所述第二部分的上面相接；

第二主體部，其在所述第一主體部的內側構成臺階地形成而與所述第一部分的上面相接；

金屬層，其位于所述第二主體部的下部，

所述第一部分包括：

電介質，其與所述基板的下面相接；以及

電極線，其包含于所述電介質，

所述電極線以位于所述第二主體部的下部的方式延伸，

所述電極線的靜電力施加于所述金屬層，以使所述第二主體部與所述電介質貼緊。

2.根據權利要求1所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述金屬層采用蒸鍍、鍍金及濺射中的一個方法形成。

3.根據權利要求1所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

第三主體部，其構成臺階地向所述第二主體部的內側延伸而覆蓋所述基板的外側。

4.根據權利要求3所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第三主體部的內側上部棱邊傾斜地形成。

5.根據權利要求1所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第二主體部由所述第一主體部延伸而形成。

6.根據權利要求1所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第二主體部與所述第一主體部分開形成。

7.一種包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

腔室，其構成利用等離子體處理基板的區域；

卡盤，其以在上部安放所述基板的方式位于所述腔室；

第一部分，其以安放所述基板的方式形成于卡盤的內側；

第二部分，其以低于所述第一部分的高度形成于所述卡盤的外側；以及

聚焦環，其覆蓋所述第二部分，并以使所述第一部分的內側露出的方式覆蓋所述第一部分的外側，

所述聚焦環包括：

第一主體部，其與所述第二部分的上面相接；以及

第二主體部，其在所述第一主體部的內側構成臺階地形成而與所述第一部分的上面相接，

所述第二主體部與所述第一主體部分開形成，

構成所述第二主體部的物質的相對介電常數高于構成所述第一主體部的物質的相對介電常數。

8.根據權利要求6或7所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第二主體部形成為覆蓋所述第一主體部的上部。

9.根據權利要求8所述的包括改善了等離子體處理垂直度的聚焦環的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第二主體部形成為包圍所述第一主體部。