[發明專利]一種散熱嵌埋封裝方法

有效

• 申請號: 202010570659.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111463178B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 陳先明;王聞師;楊威源;李敏雄;黃本霞;馮磊
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張志輝

本發明公開了一種散熱嵌埋封裝方法，包括以下步驟：制作具有至少一個通孔的框架；在第一表面粘貼膠帶，通孔中放置器件；用感光絕緣材料完全填充通孔并使通孔下部的感光絕緣材料完全固化，但通孔上部及第二表面上覆蓋的感光絕緣材料未完全固化；在第一表面上進行電鍍并形成第一金屬層，在器件的上表面和側面、感光絕緣材料的上表面以及第一銅柱的上端面進行電鍍并形成第二金屬層；進行蝕刻，以分別得到第一線路層和第二線路層。本發明通過第二金屬層包裹器件的上表面及至少部分側面，相較于原有單面散熱封裝方式，本發明增加了器件的散熱面積，使得器件可以進行多方位散熱，從而使散熱效率得以提高。

技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，特別涉及一種封裝方法。

背景技術

隨著電子行業的高速發展，現有電子產品已日趨輕薄化，集成度和功能性也日益提高，故用于承載電阻、電容或芯片等電子器件的電路板也必然朝著輕薄化的方向發展，因而衍生出了電路板封裝技術。其中，埋入式封裝技術已在濾波器、功率放大器等電源管理類產品上得到廣泛應用，越來越受到人們的青睞。埋入式封裝技術是把電子器件埋入到嵌埋封裝基板內部的高密度封裝技術，可縮短線路長度、改善電氣特性，能減少電路板板面的焊接點，從而提高封裝的可靠性、降低成本。但，隨著電子器件集成度越來越高，散熱成為了嵌埋封裝設計中首要考慮的因素之一。

現有技術中的嵌埋封裝技術是采用單面散熱的封裝方式，即在嵌埋封裝基板的背面通過鐳射鉆孔或等離子蝕刻的方式形成通孔，再將通孔金屬化形成導熱銅柱，或是直接在嵌埋封裝基板背面開設大面積的銅片。此種單面散熱的封裝方式散熱面積有限，使用鐳射鉆孔或等離子蝕刻的方式易對電子器件造成破壞且生產成本高、制作周期長。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提出一種散熱嵌埋封裝方法，能夠提高器件的散熱面積，降低生產成本、縮短制作周期。

根據本發明實施例的一種散熱嵌埋封裝方法，包括以下步驟：S1，制作具有至少一個通孔的框架，所述框架還豎直設置有若干第一銅柱，所述框架的下表面為第一表面；S2，在所述第一表面粘貼膠帶，使得所述膠帶具有粘性的一面與所述第一表面相貼合，所述通孔中放置器件，所述器件的觸點與所述膠帶相貼合；S3，用感光絕緣材料固化于所述通孔的部分空間，使所述器件的上表面及至少部分所述器件的側面裸露在外；S4，去除所述膠帶，在所述第一表面上進行電鍍并形成第一金屬層，在所述器件的上表面和側面、所述感光絕緣材料的上表面以及所述第一銅柱的上端面進行電鍍并形成第二金屬層，所述第二金屬層覆蓋所述第一銅柱的上端面和所述器件的上表面及至少部分側面；S5，對所述第一金屬層及所述第二金屬層進行蝕刻，以分別得到第一線路層和第二線路層，所述器件的觸點與所述第一線路層電性連接，所述第一銅柱的上下兩端分別與所述第二線路層和所述第一線路層電性連接。

至少具有如下有益效果：本發明通過膠帶粘附設置于通孔內的器件，簡化了封裝工藝；第二金屬層包裹器件的上表面及至少部分側面，相較于原有單面散熱封裝方式，本發明增加了器件的散熱面積，使得器件可以進行多方位散熱，從而使散熱效率得以提高；使用感光絕緣材料填充部分通孔，相較于鐳射鉆孔或等離子蝕刻等方式可降低生產成本、縮短制作周期。

根據本發明的一些實施例，所述步驟S3具體包括：S3.1，先用感光絕緣材料完全填充所述通孔；S3.2，對所述第一表面及與所述第一表面相對的第二表面分別通過不同能量進行曝光，使所述通孔下部的所述感光絕緣材料完全固化，但所述通孔上部的所述感光絕緣材料未完全固化；S3.3，通過顯影使所述器件的上表面及至少部分所述器件的側面裸露在外。