[發明專利]一種智能默寫中評估用戶記憶水平的方法及電子設備

在審

• 申請號: 202010568142.3
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111861819A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 周海濱
• 申請（專利權）人: 北京國音紅杉樹教育科技有限公司
• 主分類號: G06Q50/20
• 分類號: G06Q50/20;G09B7/00;G09B19/06
• 代理公司: 北京沁優知識產權代理有限公司 11684
• 代理人: 郭峰

1.一種智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：包括以下步驟：

為用戶生成待默寫單詞的中文釋義；

獲取用戶對單詞的學習信息；

計算單詞的正確率；

根據用戶對單詞的正確率生成評估用戶記憶力水平的檔位。

2.根據權利要求1所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述根據用戶對單詞的正確率生成評估用戶記憶力水平的檔位包括以下步驟：

將單詞的正確率劃分不同的區間，各區間相比，區間內的最大值越大，該區間賦予的記憶檔位值越大。

3.根據權利要求1所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述計算單詞的正確率包括以下步驟：

判斷此次學習是否為初學或復習，若是，單詞的正確率按第一正確率的計算公式計算；所述第一正確率的計算公式為Rrr＝Crr/Crt,其中Rrr為用戶對單詞作答的第一正確率，Crr為復習過程中用戶對單詞答對的次數，Crt為復習過程中用戶對單詞作答總次數。

4.根據權利要求1或3所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述計算單詞的正確率包括以下步驟：

判斷此次學習是否為測試，若是，單詞的正確率按第二正確率的計算公式計算；所述第二正確率的計算公式為：Rrt＝(Crr+Cqr)/(Crt+Cqt),其中，Crr為復習過程中用戶對單詞答對的次數，Crt為復習過程中用戶對單詞作答總次數，Rrt為第二正確率,Cqr為測試中用戶對單詞答對的次數，Cqt為測試中用戶對單詞作答總次數。

5.根據權利要求1所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述智能默寫中評估用戶記憶水平的方法中在步驟計算單詞的正確率之前還包括以下步驟：

對單詞的答對次數進行調整。

6.根據權利要求5所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述對單詞的答對次數進行調整包括以下步驟：

根據學習信息計算用戶每次完單詞之后的最佳復習時間點；

根據測試時間點與最佳復習時間點的間隔的關系，增加測試答對次數值。

7.根據權利要求6所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述測試時間點與最佳復習時間點的間隔的關系，增加測試答對次數值包括以下步驟：

判斷測試時間點與最佳復習時間點的間隔是否超過預設的答對間隔上限時長，若是，所述測試答對次數值增加的值為第一增加次數值；

若否，所述測試答對次數值增加的值為第二增加次數值，所述第二增加次數值根據測試時間點計算，并與測試時間點成正相關。

8.根據權利要求6或7所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述根據學習信息計算用戶每次完單詞之后的最佳復習時間點包括以下步驟：

計算單詞的記憶強度值；

根據單詞的記憶強度值計算復習間隔時長；

根據復習間隔時長計算最佳復習時間點。

9.根據權利要求8所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法，其特征在于：所述計算單詞的記憶強度值包括以下步驟：

判斷單詞是否首次學習，判斷是否默寫正確，判斷是否超出預設的反應時長，根據上述情況給單詞的記憶強度賦予不同的值。

10.一種電子設備，其特征在于：所述電子設備包括存儲器及處理器，所述存儲器上至少有一條指令，所述至少一條指令由所述處理器加載并執行，以實現如權利要求1-9任一項所述的智能默寫中評估用戶記憶水平的方法。