[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010568089.7
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111710678B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欽福;林昭雄;朱家儀;童宇誠;賴惠先
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲器件，包括一半導(dǎo)體基板，其具有一存儲區(qū)以及位于所述存儲區(qū)周圍的一外圍區(qū)、位線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板之上并往第一方向延伸經(jīng)過所述存儲區(qū)與所述外圍區(qū)、間隔物結(jié)構(gòu)，位在所述位線結(jié)構(gòu)之間、存儲節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)，位于所述存儲區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中并與所述半導(dǎo)體基板連接、以及犧牲層，位于所述外圍區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中，其發(fā)明特點在于器件的存儲單元區(qū)與外圍區(qū)具有同樣的單元設(shè)置，可以解決圖形密度不同所導(dǎo)致的微負(fù)載效應(yīng)問題并讓出更多的存儲單元區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開的實施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，更具體來說，其涉及一種具有位于位線之間的間隔物結(jié)構(gòu)以及位于周邊區(qū)的位線接觸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器件。

背景技術(shù)

存儲器件是一種集成電路，其通常在計算機(jī)系統(tǒng)中用來存儲數(shù)據(jù)，制作成一或多個具有個別存儲單元的矩陣型態(tài)。存儲器件可使用位線(也可稱為數(shù)位線、數(shù)據(jù)線或讀出線)與字線(也可稱為存取線)來進(jìn)行寫入與讀取的動作，其中位線可沿著矩陣的縱列電連接到存儲單元，而字線可沿著矩陣的橫列電連接到存儲單元。每個存儲單元都可經(jīng)由一條位線與一條字線的組合來個別尋址。

存儲器件可為易失性、半易失性或是非易失性性質(zhì)。在沒有供電的情況下，非易失性的存儲器件可以存儲數(shù)據(jù)達(dá)一段很長的時間，易失性的存儲器件所存儲的數(shù)據(jù)則是會消散，因此需要透過不斷的刷新/重寫來維持其數(shù)據(jù)存儲。存儲器件會使用電容器等部件來存儲電荷，通過讀取電容器的電荷來判定存儲單元是位于哪一種存儲態(tài)，例如“0”或“1的存儲態(tài)”，以此達(dá)到數(shù)據(jù)存儲與讀取的目的。存儲器件中也會具有晶體管等電子部件來控制柵極的開關(guān)以及電荷的存儲與釋放與否。存儲器件的存儲單元數(shù)組區(qū)的周邊會有外圍電路區(qū)的存在，位線與字線會從存儲數(shù)組區(qū)延伸至所述外圍電路區(qū)，并在該區(qū)經(jīng)由其他導(dǎo)線以及接觸件等互連結(jié)構(gòu)連接到外部電路。

在制作存儲器件或其他電路時，使其部件不斷地微縮、變得更為緊密、以達(dá)到更高的單位面積存儲容量一直是業(yè)界努力不變的目標(biāo)。然而，隨著存儲器件不斷地微縮，其制作工藝中也會遇到許多有待克服的問題，例如圖形密度不同所導(dǎo)致的微負(fù)載效應(yīng)，或是各部件之間過于緊密而導(dǎo)致布局空間不足的問題。本發(fā)明的動機(jī)即為要克服上述電路制作時所遇到的一些問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述存儲器件工藝中所遭遇的問題，本發(fā)明于此提出了一種新穎的半導(dǎo)體存儲器件，其特點在于器件的存儲單元區(qū)與周邊區(qū)具有同樣的單元設(shè)置，可以解決圖形密度不同所導(dǎo)致的微負(fù)載效應(yīng)問題并讓出更多的存儲單元區(qū)域，且位于外圍區(qū)的位線接觸結(jié)構(gòu)具有伸長的外型且采用兩側(cè)周邊區(qū)交互設(shè)置的方式，可有效增加接觸結(jié)構(gòu)在連接時的工藝容限，克服布局空間部不足的問題。

本發(fā)明的面向之一在于提出一種半導(dǎo)體存儲器件，包括一半導(dǎo)體基板，其具有一存儲區(qū)以及位于所述存儲區(qū)周圍的一外圍區(qū)、位線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板之上并往第一方向延伸經(jīng)過所述存儲區(qū)與所述外圍區(qū)、間隔物結(jié)構(gòu)，位在所述位線結(jié)構(gòu)之間、存儲節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)，位于所述存儲區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中并與所述半導(dǎo)體基板連接、以及犧牲層，位于所述外圍區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中。

本發(fā)明的另一面向在于提出一種半導(dǎo)體存儲器件，包含一半導(dǎo)體基板、位線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板的外圍區(qū)的一器件隔離層上、間隔物結(jié)構(gòu)，位在所述器件隔離層上且位在所述位線結(jié)構(gòu)之間、犧牲層，位在所述器件隔離層上且位在所述位線結(jié)構(gòu)之間、以及位線接觸結(jié)構(gòu)，位在所述位線結(jié)構(gòu)的正上方，其中每個位線接觸結(jié)構(gòu)以交互方式連接在一個所述位線結(jié)構(gòu)上。

本發(fā)明的又一面向在于提出一種半導(dǎo)體存儲器件，包含一半導(dǎo)體基板，具有一器件隔離層界定出一有源區(qū)，其中所述有源區(qū)包含位于所述有源區(qū)中間的一第一摻雜區(qū)與分別位于所述有源區(qū)兩端的兩第二摻雜區(qū)、以及一字線，埋入在所述半導(dǎo)體基板中并穿過所述第一摻雜區(qū)與一所述第二摻雜區(qū)之間的所述有源區(qū)。

本發(fā)明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文中以多種圖示與繪圖來描述的較佳實施例之細(xì)節(jié)說明后應(yīng)可變得更為明了顯見。