[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010568089.7 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN111710678B | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張欽福;林昭雄;朱家儀;童宇誠;賴惠先 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包含：
一半導(dǎo)體基板，具有一存儲單元區(qū)以及位于所述存儲單元區(qū)周圍的一外圍區(qū)；
字線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板中并往第一方向延伸經(jīng)過所述存儲單元；
位線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板之上并往第二方向延伸經(jīng)過所述存儲單元區(qū)與所述外圍區(qū)；
間隔物結(jié)構(gòu)，位在所述位線結(jié)構(gòu)之間且位于所述字線結(jié)構(gòu)上方；
存儲節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，位于所述存儲單元區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中并與所述半導(dǎo)體基板連接；以及
犧牲層，位于所述外圍區(qū)中的所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)所界定出的空間中。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)位于所述外圍區(qū)中的部位是位于器件隔離層上。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)與所述器件隔離層之間還具有一絕緣夾層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)從所述存儲單元區(qū)一側(cè)的所述外圍區(qū)延伸經(jīng)過所述存儲單元區(qū)至所述存儲單元區(qū)另一側(cè)的所述外圍區(qū)，且更包含位線接觸結(jié)構(gòu)位于所述存儲單元區(qū)兩側(cè)的所述外圍區(qū)上并在兩側(cè)的所述外圍區(qū)上以交互方式連接在所述位線結(jié)構(gòu)上。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線接觸結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)的金屬層直接接觸。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線接觸結(jié)構(gòu)具有一長邊，所述長邊與所述位線結(jié)構(gòu)的延伸方向平行。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述位線接觸結(jié)構(gòu)的長邊長過于所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述犧牲層。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，更包含一覆蓋絕緣層，位于位線結(jié)構(gòu)、所述間隔物結(jié)構(gòu)以及所述犧牲層上，且所述位線接觸結(jié)構(gòu)位于所述覆蓋絕緣層中。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述犧牲層都是介電絕緣材料且材料不同。
10.一種半導(dǎo)體存儲器件，包含：
一半導(dǎo)體基板；
位線結(jié)構(gòu)，位在所述半導(dǎo)體基板的外圍區(qū)的一器件隔離層上；
間隔物結(jié)構(gòu)，位在所述器件隔離層上且位在所述位線結(jié)構(gòu)之間；
犧牲層，位在所述器件隔離層上且位在所述位線結(jié)構(gòu)之間；以及
位線接觸結(jié)構(gòu)，位在所述位線結(jié)構(gòu)的正上方，其中每個位線接觸結(jié)構(gòu)以交互方式連接在一個所述位線結(jié)構(gòu)上，其中所述位線接觸結(jié)構(gòu)包含一上半部位與一下半部位，所述上半部位的中線和所述下半部位的中線對齊或不對齊。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，更包括一覆蓋絕緣層位于所述位線結(jié)構(gòu)、所述間隔物結(jié)構(gòu)以及所述犧牲層上，其中所述位線接觸結(jié)構(gòu)的所述上半部位位于所述覆蓋絕緣層中，所述位線接觸結(jié)構(gòu)的所述下半部位位于所述間隔物結(jié)構(gòu)之間以及所述犧牲層之間。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，更包含一絕緣夾層介于所述位線結(jié)構(gòu)、所述間隔物結(jié)構(gòu)以及所述犧牲層與所述器件隔離層之間。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述犧牲層都是介電絕緣材料且材料不同。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
