[發明專利]倍增寄存器結構以及包括該倍增寄存器結構的EMCCD

有效

• 申請號: 202010567950.8
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111787247B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 白雪平;楊洪;鄭渝;曲鵬程
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H04N5/372
• 分類號: H04N5/372;H01L31/107;H01L31/0352;H01L27/148
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王海軍

1.一種提高EMCCD響應線性度的倍增寄存器結構，包括襯底和位于襯底之上的埋溝；在埋溝上覆蓋有柵介質，在柵介質上形成有第一電極Ф1、第二電極Фdc、第三電極Фem和第四電極Ф3；這四個電極依次對應為第一轉移相、直流相、倍增相以及第二轉移相；其特征在于，將埋溝按照各電極劃分出對應的第一埋溝、第二埋溝、第三埋溝以及第四埋溝；將第三電極Фem的倍增相向下對應的第三埋溝劃分為倍增埋溝和電荷埋溝，所述倍增埋溝用于電荷倍增；所述電荷埋溝用于存儲倍增后的電荷，且所述電荷埋溝的深度大于所述倍增埋溝的深度；所述倍增埋溝的濃度與其他埋溝的濃度一致，所述電荷埋溝的濃度略高于倍增埋溝的濃度，其中，其他埋溝包括第一埋溝、第二埋溝以及第四埋溝，電荷埋溝的濃度比倍增埋溝濃度高1/3~1倍。

2.根據權利要求1所述的一種提高EMCCD響應線性度的倍增寄存器結構，其特征在于，所述襯底為P型襯底，所述埋溝為N型埋溝或者所述襯底為N型襯底，所述埋溝為P型埋溝。

3.根據權利要求1所述的一種提高EMCCD響應線性度的倍增寄存器結構，其特征在于，在所述電荷埋溝處加注磷用于提高電荷埋溝濃度。

4.一種提高響應線性度的EMCCD，包括存儲區、光敏區、水平寄存器和讀出放大器，其特征在于，在所述水平寄存器和所述讀出放大器之間安裝有多個如權利要求1~3任一所述的倍增寄存器結構。