[發明專利]一種半導體產品的清洗工藝

在審

• 申請號: 202010567136.6
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111760847A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 鄧常春
• 申請（專利權）人: 東莞市佳駿電子科技有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/08;B08B13/00;F26B21/14;H01L21/67
• 代理公司: 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400
• 代理人: 何新華

1.一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，依次包括以下步驟：

S1、超聲波清洗，向第一超聲波清洗機中加入環保清洗劑和若干軟質清潔顆粒，將半導體產品投入第一超聲波清洗劑中清洗16～22min，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為70～100Hz，清洗溫度為40～50℃；

S2、超聲波漂洗，向第二超聲波清洗機中注入無水乙醇，將步驟S1所獲的半導體產品投入第二超聲波清洗機中漂洗8～15min，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為70～90Hz，漂洗溫度為35～45℃；

S3、干燥，將步驟S2中所獲的半導體產品放入烘干機中烘干20～30min，烘干溫度為60～80℃。

2.根據權利要求1所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，環保清潔劑按體積份數包括一下組份：2份異丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去離子水。

3.根據權利要求1所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，軟質清潔顆粒占環保清洗劑的體積百分比為20～30％。

4.根據權利要求3所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，軟質清潔顆粒的直徑為100～150μm。

5.根據權利要求4所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，軟質清潔顆粒為聚乙烯醇顆粒。

6.根據權利要求5所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，軟質清潔顆粒上設有若干吸附孔。

7.根據權利要求1所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S3中，烘干機內形成有用于烘干的清潔熱風。

8.根據權利要求7所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S3中，清潔熱風是氮氣形成的壓力值為1.1～1.3Mpa的氣流。

9.根據權利要求1所述的一種半導體產品的清洗工藝，其特征在于，步驟S1中，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為80Hz，清洗時間為20min；步驟S2中，第二超聲波清洗機的超聲波頻率為80Hz，漂洗時間為10min；步驟S3中，烘干時間為30min。