[發明專利]一種半導體產品的清洗工藝

在審

• 申請號: 202010567136.6
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111760847A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 鄧常春
• 申請（專利權）人: 東莞市佳駿電子科技有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/08;B08B13/00;F26B21/14;H01L21/67
• 代理公司: 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400
• 代理人: 何新華

本發明系提供一種半導體產品的清洗工藝，依次包括以下步驟：超聲波清洗，向第一超聲波清洗機中加入環保清洗劑和若干軟質清潔顆粒，將半導體產品投入第一超聲波清洗劑中清洗；超聲波漂洗，向第二超聲波清洗機中注入無水乙醇，將半導體產品投入第二超聲波清洗機中漂洗；干燥，將半導體產品放入烘干機中烘干。本發明通過超聲波清洗機以及特殊組合的清洗用料，能夠有效將清洗工序縮短至三個，可有效降低清洗加工線所占用的空間，從而降低土地成本，還能夠顯著提高清洗加工效率；清洗工作進行時，超聲波清洗機使環保清洗劑充分接觸半導體產品，且超聲波清洗機還促使軟質清潔顆粒與半導體產品充分作用，從而進一步提高清潔效果。

技術領域

本發明涉及半導體清洗，具體公開了一種半導體產品的清洗工藝。

背景技術

半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，半導體產品是利用半導體材料制成的電子器件。

半導體產品在制作的過程中，需要進行諸如蝕刻、劃片、裁切等加工，經過諸如上述的加工后，半導體產品的表面會殘留有加工液、碎屑等污染物，如不對這些污染物進行清理，會降低半導體產品的性能。現有技術中，對半導體產品表面污染物進行清洗是通過手動清洗一、蒸浴一、蒸浴二、手動清洗二、手動漂洗一、手動漂洗二和烘烤共7個工序完成，清洗加工線長，占地空間大，土地成本高，且清洗效率低。

發明內容

基于此，有必要針對現有技術問題，提供一種半導體產品的清洗工藝，能夠顯著縮短加工線，降低土地成本，且能夠整體的清洗效果好，清洗效率高。

為解決現有技術問題，本發明公開一種半導體產品的清洗工藝，依次包括以下步驟：

S1、超聲波清洗，向第一超聲波清洗機中加入環保清洗劑和若干軟質清潔顆粒，將半導體產品投入第一超聲波清洗劑中清洗16～22min，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為70～100Hz，清洗溫度為40～50℃；

S2、超聲波漂洗，向第二超聲波清洗機中注入無水乙醇，將步驟S1所獲的半導體產品投入第二超聲波清洗機中漂洗8～15min，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為70～90Hz，漂洗溫度為35～45℃；

S3、干燥，將步驟S2中所獲的半導體產品放入烘干機中烘干20～30min，烘干溫度為60～80℃。

進一步的，步驟S1中，環保清潔劑按體積份數包括一下組份：2份異丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去離子水。

進一步的，步驟S1中，軟質清潔顆粒占環保清洗劑的體積百分比為20～30％。

進一步的，步驟S1中，軟質清潔顆粒的直徑為100～150μm。

進一步的，步驟S1中，軟質清潔顆粒為聚乙烯醇顆粒。

進一步的，步驟S1中，軟質清潔顆粒上設有若干吸附孔。

進一步的，步驟S3中，烘干機內形成有用于烘干的清潔熱風。

進一步的，步驟S3中，清潔熱風是氮氣形成的壓力值為1.1～1.3Mpa的氣流。

進一步的，步驟S1中，第一超聲波清洗機的超聲波頻率為80Hz，清洗時間為20min；步驟S2中，第二超聲波清洗機的超聲波頻率為80Hz，漂洗時間為10min；步驟S3中，烘干時間為30min。

本發明的有益效果為：本發明公開一種半導體產品的清洗工藝，通過超聲波清洗機以及特殊組合的清洗用料，能夠有效將清洗工序縮短至三個，可有效降低清洗加工線所占用的空間，從而降低土地成本，還能夠顯著提高清洗加工效率；清洗工作進行時，超聲波清洗機使環保清洗劑充分接觸半導體產品，有效確保清洗效果，且超聲波清洗機還促使軟質清潔顆粒與半導體產品充分作用，從而令半導體產品表面的頑固污染物脫落，進一步提高清潔效果。