[發(fā)明專利]晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)、半導(dǎo)體制造設(shè)備以及晶圓轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010567125.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN111900118B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 具德滋;周娜;李琳;李俊杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

本發(fā)明公開了一種晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)、半導(dǎo)體制造設(shè)備以及晶圓轉(zhuǎn)移方法，該晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)包括聚焦環(huán)和舉升組件，聚焦環(huán)設(shè)置在半導(dǎo)體制造設(shè)備上，并且聚焦環(huán)套裝在半導(dǎo)體制造設(shè)備的靜電卡盤的外側(cè)且靠近靜電卡盤的頂部設(shè)置，聚焦環(huán)的內(nèi)側(cè)和靜電卡盤的頂面合圍形成用于放置晶圓的收容空間，舉升組件設(shè)置在聚焦環(huán)上，舉升組件用于與晶圓配合，以使晶圓進(jìn)入或離開收容空間。通過(guò)將舉升組件設(shè)置在聚焦環(huán)上，從而實(shí)現(xiàn)了靜電卡盤的無(wú)孔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而保證了靜電卡盤溫度的均一性，進(jìn)而提高了晶圓的良品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造設(shè)備。本發(fā)明還涉及一種晶圓轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)

本部分提供的僅僅是與本公開相關(guān)的背景信息，其并不必然是現(xiàn)有技術(shù)。

半導(dǎo)體通過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行制造，在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，為了在作為基板的晶圓上進(jìn)行淀積、蝕刻等工藝處理，一般通過(guò)靜電卡盤(Electric?Static?Chuck，簡(jiǎn)稱ESC)產(chǎn)生靜電力吸持來(lái)固定和支撐晶圓，同時(shí)，靜電卡盤能夠維持晶圓溫度的均一性，以提高晶圓制造的良品率。

但是，靜電卡盤包括用于晶圓轉(zhuǎn)移的舉升器，舉升器的提升桿以可移動(dòng)的方式穿設(shè)于靜電卡盤的過(guò)孔，由于舉升器與靜電卡盤的其它部件在溫度的均一性上存在差異，使得靜電卡盤的溫度均一性受到影響，從而導(dǎo)致晶圓的聚合物進(jìn)行沉淀時(shí)會(huì)根據(jù)溫度變化產(chǎn)生CD偏差(critical?demension，關(guān)鍵尺寸)，進(jìn)而影響晶圓制造的良品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的第一方面提出了一種晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，用于半導(dǎo)體制造設(shè)備，所述晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)包括：

聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)設(shè)置在所述半導(dǎo)體制造設(shè)備上，并且所述聚焦環(huán)套裝在所述半導(dǎo)體制造設(shè)備的靜電卡盤的外側(cè)且靠近所述靜電卡盤的頂部設(shè)置，所述聚焦環(huán)的內(nèi)側(cè)和所述靜電卡盤的頂面合圍形成用于放置晶圓的收容空間；

舉升組件，所述舉升組件設(shè)置在所述聚焦環(huán)上，所述舉升組件用于與所述晶圓配合，以使所述晶圓進(jìn)入或離開所述收容空間。

本發(fā)明的第二方面提出了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，用于晶圓的加工，所述半導(dǎo)體制造設(shè)備包括：

晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，所述晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)為根據(jù)如上所述的晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)；

靜電卡盤，所述靜電卡盤與所述晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)配合以形成所述收容空間，所述舉升組件能夠使所述晶圓進(jìn)入或離開所述收容空間；

加工機(jī)構(gòu)，所述加工機(jī)構(gòu)用于對(duì)所述晶圓進(jìn)行加工。

本發(fā)明的第三方面提出了一種晶圓轉(zhuǎn)移方法，該晶圓轉(zhuǎn)移方法通過(guò)如上所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備來(lái)實(shí)施，所述晶圓轉(zhuǎn)移方法包括如下步驟：

移動(dòng)晶圓至聚焦環(huán)的上方；

驅(qū)動(dòng)舉升組件上升，使得晶圓與舉升組件配合；

驅(qū)動(dòng)舉升組件下降，使得晶圓進(jìn)入聚焦環(huán)和靜電卡盤形成的收容空間內(nèi)；

啟動(dòng)加工機(jī)構(gòu)對(duì)進(jìn)入收容空間內(nèi)的晶圓進(jìn)行加工；

驅(qū)動(dòng)舉升組件上升，使得加工完成的晶圓離開收容空間；

移動(dòng)晶圓，使晶圓與舉升組件分離；

驅(qū)動(dòng)舉升組件下降，使得舉升組件復(fù)位。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。在附圖中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的晶圓轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖(半導(dǎo)體制造設(shè)備僅示出靜電卡盤)；