[發(fā)明專利]晶圓轉移機構、半導體制造設備以及晶圓轉移方法

有效

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• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111900118B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 具德滋;周娜;李琳;李俊杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京辰權知識產(chǎn)權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

1.一種晶圓轉移機構，用于半導體制造設備，其特征在于，所述晶圓轉移機構包括：

聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)設置在所述半導體制造設備上，并且所述聚焦環(huán)套裝在所述半導體制造設備的靜電卡盤的外側且靠近所述靜電卡盤的頂部設置，所述聚焦環(huán)的內側和所述靜電卡盤的頂面合圍形成用于放置晶圓的收容空間；

舉升組件，所述舉升組件設置在所述聚焦環(huán)上，所述舉升組件至少為兩個，各所述舉升組件沿所述聚焦環(huán)的周向間隔設置且同步升降，所述舉升組件包括可動件，所述可動件用于與所述晶圓配合，以使所述晶圓進入或離開所述收容空間，所述可動件上設有承托結構，所述承托結構為槽狀結構，所述槽狀結構開設在所述可動件朝向所述聚焦環(huán)徑向內側的端面上，所述槽狀結構用于承托所述晶圓；

所述聚焦環(huán)對應所述可動件的位置開設有缺口，所述可動件的形狀與所述缺口的形狀相適配，所述可動件收容于所述缺口時，所述可動件的外表面與所述聚焦環(huán)的外表面平齊；

所述聚焦環(huán)上還設有承托槽，所述承托槽與所述槽狀結構連通，并且所述承托槽的結構與所述槽狀結構相一致，當所述可動件收容于缺口內時，所述承托槽沿所述聚焦環(huán)的周向設置，所述槽狀結構將所述缺口的位置補充完整，所述承托槽用于對所述晶圓的邊緣進行承托。

2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓轉移機構，其特征在于，所述舉升組件還包括：

提升桿，所述聚焦環(huán)與所述提升桿對應的位置開設有過孔，所述提升桿以可移動的方式穿設于所述過孔，所述提升桿與所述可動件連接；

驅動件，所述驅動件與所述提升桿傳動連接。

3.根據(jù)權利要求2所述的晶圓轉移機構，其特征在于，所述提升桿的數(shù)量為多個，各所述提升桿沿所述可動件的延伸方向間隔設置，所述過孔與所述提升桿對應設置。

4.一種半導體制造設備，用于晶圓的加工，其特征在于，所述半導體制造設備包括：

晶圓轉移機構，所述晶圓轉移機構為根據(jù)權利要求1至3任一項所述的晶圓轉移機構；

靜電卡盤，所述靜電卡盤與所述晶圓轉移機構配合以形成所述收容空間，所述舉升組件能夠使所述晶圓進入或離開所述收容空間；

加工機構，所述加工機構用于對所述晶圓進行加工。

5.一種晶圓轉移方法，該晶圓轉移方法通過如權利要求4所述的半導體制造設備來實施，其特征在于，所述晶圓轉移方法包括如下步驟：

移動晶圓至聚焦環(huán)的上方；

驅動舉升組件上升，使得晶圓與舉升組件配合；

驅動舉升組件下降，使得晶圓進入聚焦環(huán)和靜電卡盤形成的收容空間內；

啟動加工機構對進入收容空間內的晶圓進行加工；

驅動舉升組件上升，使得加工完成的晶圓離開收容空間；

移動晶圓，使晶圓與舉升組件分離；

驅動舉升組件下降，使得舉升組件復位。