[發明專利]校準片及其制造方法

在審

• 申請號: 202010566938.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111900196A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 金炳喆;金德容;曲揚;白國斌;于飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

1.一種校準片，其特征在于，包括硅片和位于所述硅片上的顆粒狀的凸起圖案。

2.根據權利要求1所述的校準片，其特征在于，所述凸起圖案在所述硅片上的投影為圓形，所述圓形的直徑為預設目標尺寸的2倍，所述凸起圖案的高度為所述預設目標尺寸的1.3倍。

3.根據權利要求1所述的校準片，其特征在于，所述凸起圖案與所述硅片一體成型；或者，所述凸起圖案為氧化物材料制成。

4.一種校準片的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅片；

在該硅片上依次沉積氧化物層、硬掩模材料層、氮氧化硅層；

刻蝕所述氧化物層、所述硬掩模材料層和所述氮氧化硅層，在所述硅片上形成顆粒狀的凸起圖案。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述氧化物層、所述硬掩模材料層和所述氮氧化硅層，在所述硅片上形成顆粒狀的凸起圖案，包括：

掩模刻蝕所述氮氧化硅層和所述硬掩模材料層至所述氧化物層頂面，形成第一圓柱體；該第一圓柱體包括硬掩模材料層和位于硬掩模材料層上的氮氧化硅層；

掩模刻蝕所述氧化物層和所述硅片，刻蝕至所述硅片內形成硅突起層，去除所述硬掩模材料層與所述氮氧化硅層，得到第二圓柱體；該第二圓柱體包括所述硅突起層和位于所述硅突起層上的氧化物層；

去除第二圓柱體的氧化物層；

濕法刻蝕所述硅突起層，形成顆粒狀的凸起圖案。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所述硅突起層，包括：通過調整濕法刻蝕時間調整所述硅突起層的尺寸。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述調整所述硅突起層的尺寸，包括：調整所述硅突起層在所述硅片上的投影圓的直徑為預設目標尺寸的2倍，調整所述硅突起層的高度為所述預設目標尺寸的1.3倍。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述氧化物層、所述硬掩模材料層和所述氮氧化硅層，在所述硅片上形成顆粒狀的凸起圖案，包括：

掩模刻蝕所述氮氧化硅層和所述硬掩模材料層至所述氧化物層頂面，形成第一圓柱體；所述第一圓柱體包括硬掩模材料層和位于硬掩模材料層上的氮氧化硅層；

刻蝕所述氧化物層，形成第二圓柱體；所述第二圓柱體包括氧化物突起層以及位于該氧化物突起層上的第一圓柱體；

去除所述第一圓柱體；

濕法刻蝕所述氧化物突起層，得到位于硅片上的顆粒狀的凸起圖案。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所述氧化物突起層，包括：通過調整濕法刻蝕的時間調整所述氧化物突起層的尺寸。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述調整所述氧化物突起層的尺寸，包括：調整所述氧化物突起層在所述硅片上的投影圓的直徑為預設目標尺寸的2倍，調整所述氧化物突起層的高度為所述預設目標尺寸的1.3倍。