[發明專利]校準片及其制造方法

在審

• 申請號: 202010566938.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111900196A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 金炳喆;金德容;曲揚;白國斌;于飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

本申請公開了一種校準片及其制造方法，該校準片包括硅片和位于所述硅片上的顆粒狀的凸起圖案，凸起圖案在硅片上的投影為圓形，凸起圖案在硅片上的投影圓的直徑為預設目標尺寸的2倍，凸起圖案的高度為預設目標尺寸的1.3倍，凸起圖案與硅片一體成型；或者，凸起圖案為氧化物材料制成。本申請提供的校準片，包括硅片和位于硅片上的顆粒狀的凸起圖案，能夠使顆粒量測儀穩定準確地讀出顆粒尺寸，能夠對顆粒量測儀進行每周/每月的周期性尺寸校準。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種校準片及其制造方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，生產產品所需的相關工藝設備的顆粒控制極為重要。若顆粒控制有問題就會影響半導體產品良率。因此，要避免各工藝設備的顆粒(particle)問題并進行管理，需要利用顆粒(particle)量測儀進行周期性的監控。

但是設備制造商提供的顆粒監測標準片是沉積有各尺寸的PSL或二氧化硅的裸晶圓，長時間保管會有污染問題，通過清洗也無法再次使用。

且各種尺寸的標準片單價都約為0.3億元的高價。如果要對各部分的設備進行尺寸校準的話，須購買13個標準片(3.9億)，使用中若產生污染問題，就需要進行定期購買等對策，設備維護費用支出較大。

以往技術是使用從制造商購買的標準片，每片約$40，000，非常貴。各尺寸的原尺寸標準片總共需要購買13種。現有技術的標準片在進行長時間保管時若發生污染就不能用了，還要重新購買，產生較多的維護管理費用。

發明內容

本申請的目的是提供一種校準片及其制造方法。為了對披露的實施例的一些方面有一個基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括部分不是泛泛評述，也不是要確定關鍵/重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍。其唯一目的是用簡單的形式呈現一些概念，以此作為后面的詳細說明的序言。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種校準片，包括硅片和位于所述硅片上的顆粒狀的凸起圖案。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種校準片的制造方法，包括：

提供一硅片；

在該硅片上依次沉積氧化物層、硬掩模材料層、氮氧化硅層；

刻蝕所述氧化物層、所述硬掩模材料層和所述氮氧化硅層，在所述硅片上形成顆粒狀的凸起圖案。

本申請實施例的其中一個方面提供的技術方案可以包括以下有益效果：

本申請實施例提供的校準片，包括硅片和位于硅片上的顆粒狀的凸起圖案，能夠使顆粒量測儀穩定準確地讀出顆粒尺寸，能夠對顆粒量測儀進行每周/每月的周期性尺寸校準。

本申請的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者，部分特征和優點可以從說明書中推知或毫無疑義地確定，或者通過實施本申請實施例了解。本申請的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出了本申請的一個實施例的硅片上依次沉積氧化物層、SOH層和氮氧化硅層后的結構示意圖；

圖2示出了在圖1所示結構的基礎上放置掩模版后的結構示意圖；

圖3示出了在圖2所示結構的基礎上刻蝕形成第一圓柱體后的結構示意圖；