[發明專利]進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板

有效

• 申請號: 202010566608.6
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112118669B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 宋云興;李思賢;許纮瑋;高羣祐
• 申請（專利權）人: 金居開發股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/09;H05K3/38
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;付文川

1.一種進階反轉電解銅箔，具有一不平整的微粗糙化處理面，其特征在于，在HITACHIS-3400N型掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與3,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有由銅結晶所構成的多個生產方向條紋以及多個細條紋，其中至少五個所述細條紋相對于所述生產方向條紋具有一最小夾角，所述最小夾角大于20度。

2.根據權利要求1所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述細條紋的長度和寬度滿足以下關系：50納米≦寬度≦1,000納米；1.0微米≦長度≦10微米。

3.根據權利要求1所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有至少十個長為250納米且寬為250納米的第一平滑區域以及至少一個長為500納米且寬為500納米的第二平滑區域，所述第一平滑區域與所述第二平滑區域不存在銅結晶。

4.根據權利要求1所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，不同數量的所述銅結晶堆棧在一起以形成各自的銅晶須，且不同數量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團。

5.根據權利要求4所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，每一個所述銅晶須具有一呈錐狀、棒狀或球狀的頂部銅結晶。

6.根據權利要求1所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度Rz JIS B 0601-1994小于2.3微米。

7.根據權利要求1所述的進階反轉電解銅箔，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述細條紋的數量為3個以上。

8.一種銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板包括：

一基板；

一進階反轉電解銅箔，設置于所述基板上，其中所述進階反轉電解銅箔具有一不平整的微粗糙化處理面，其接合于所述基板的一表面，且在HITACHI S-3400N型掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與3,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有由銅結晶所構成的多個生產方向條紋以及多個細條紋，其中至少五個所述細條紋相對于所述生產方向條紋具有一最小夾角，所述最小夾角大于20度。

9.根據權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述細條紋的長度和寬度滿足以下關系：50納米≦寬度≦1,000納米；1.0微米≦長度≦10微米。

10.根據權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有至少十個長為250納米且寬為250納米的第一平滑區域以及至少一個長為500納米且寬為500納米的第二平滑區域，所述第一平滑區域與所述第二平滑區域不存在銅結晶。

11.根據權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，不同數量的所述銅結晶堆棧在一起以形成各自的銅晶須，且不同數量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團。

12.根據權利要求11所述的銅箔基板，其特征在于，每一個所述銅晶須具有一呈錐狀、棒狀或球狀的頂部銅結晶。

13.根據權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度Rz JIS B 0601-1994小于2.3微米。

14.根據權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，在所述掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述細條紋的數量為3個以上。