[發(fā)明專利]基于迷宮型CsPbI2 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010566449.X | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111739962A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 于華;張富;于月 | 申請(專利權(quán))人: | 西南石油大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032;H01L31/0725;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11640 | 代理人: | 房立普 |
| 地址: | 610500 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 迷宮 cspbi base sub | ||
1.一種基于迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在基底上旋涂CsPbI2Br前驅(qū)體溶液,制備得到鈣鈦礦薄膜;
將所述鈣鈦礦薄膜放置在24-27℃的手套箱中靜置15-30min;
然后在158-164℃下退火9~11min,得到迷宮型CsPbI2Br鈣鈦礦薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述CsPbI2Br前驅(qū)體溶液通過將PbI2,PbBr2,CsI溶解到有機溶劑中,加熱攪拌至完全溶解制備而來。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、N,N-二甲基乙酰胺、四甲基亞砜中的任一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述手套箱的溫度為25℃,靜置時間為25min,退火溫度為160℃,退火時間為10min。
5.一種太陽能電池,其特征在于,采用權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制備方法制備得到的迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜作為所述太陽能電池的吸光層薄膜。
6.一種疊層太陽能電池,其特征在于,包括從下至上依次設(shè)置的背接觸層、底電池層、隧道結(jié)/復(fù)合層、頂電池層、透明電極層、玻璃層,所述頂電池層采用權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制備方法制備得到的迷宮型CsPbI2Br無機鈣鈦礦薄膜作為頂電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





