[發明專利]一種射頻系統狀態受控的半導體設備

在審

• 申請號: 202010566407.6
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113820531A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 譚華強;張賽謙
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R19/04;H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林彥

本申請涉及射頻系統狀態受控的半導體設備。在本申請的一實施例中，一種射頻檢測裝置包含：高通濾波器，其一端電耦合至陶瓷加熱器的射頻回路電極，且其另一端接地；電壓測量器，其與所述高通濾波器并聯連接；以及低通電路，其與所述高通濾波器并聯連接。

技術領域

本揭露涉及半導體射頻處理裝置，尤其涉及一種射頻系統狀態受控的半導體設備。

背景技術

對半導體晶圓進行例如PECVD等處理的等離子體處理設備可稱為射頻(RadioFrequency，RF)系統，其包含RF控制電路。RF控制電路可提供射頻信號并傳送給等離子體處理設備中的電極，從而在處理腔室的處理區域中產生電場。反應氣體在電場作用下離子化并與待處理的晶圓發生反應，例如蝕刻或沉積。

對于RF系統的日常狀態的監測對于工藝開發和設備的長期穩定性具有重要意義。除監測RF電源的前向功率變化、RF系統反射功率、匹配器的可調電容外，還須監測RF發射極的直流偏壓(Vdc)和射頻偏壓幅值(Vpp)等信號參數，進而監測RF系統的狀態。通常，RF發射極信號參數的監測位置會設置在RF發射極和RF匹配器之間，并采用單獨的傳感器模塊或者集成在RF匹配器中的子模塊來執行RF系統狀態監測。

然而，包含RF系統狀態監測功能模塊的匹配器通常較為昂貴。對于本身不具有RF系統狀態監測功能模塊的匹配器，則通常采用在RF發射極和RF匹配器之間額外增加系統狀態監測模塊的方式，導致總成本居高不下。

因此，有必要發展一種兼顧監測實效性和低成本的RF系統狀態監測裝置，以實現相同或相似的監測功能。

發明內容

本申請旨在提供一種RF系統狀態監測裝置，以在匹配器缺少RF系統狀態監測功能模塊的情況下，實現RF系統狀態監測功能。

本申請的一實施例提供一種射頻檢測裝置，其包含：高通濾波器，其一端電耦合至陶瓷加熱器的射頻回路電極，且其另一端接地；電壓測量器，其與所述高通濾波器并聯連接；以及低通電路，其與所述高通濾波器并聯連接。

本申請的又一實施例提供一種射頻檢測裝置，其包含：高通濾波器，其一端電耦合至陶瓷加熱器的射頻回路電極，且其另一端接地；電壓測量器，其與所述高通濾波器并聯連接；以及低通電路，其一端電耦合至所述陶瓷加熱器的所述射頻回路電極，且其另一端電耦合至射頻功能模塊。

應了解，本揭露的廣泛形式及其各自特征可以結合使用、可互換及/或獨立使用，并且不用于限制參考單獨的廣泛形式。

附圖說明

圖1顯示根據本揭露一實施例的RF系統狀態監測裝置。

圖2A顯示根據本揭露一實施例的RF系統狀態監測裝置。

圖2B顯示根據本揭露另一實施例的RF系統狀態監測裝置。

圖3顯示圖2A、2B中低頻支路的一實施例。

圖4顯示圖2A、2B中低頻支路的另一實施例。

具體實施方式

為更好地理解本揭露的精神，以下結合本揭露的部分優選實施例對其作進一步說明。

在本說明書中，除非經特別指定或限定之外，相對性的用詞例如：“中央的”、“縱向的”、“側向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“內部的”、“外部的”、“較低的”、“較高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方”、“下方”、“頂部的”、“底部的”以及其衍生性的用詞(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)應該解釋成引用在討論中所描述或在附圖中所描示的方向。這些相對性的用詞僅用于描述上的方便，且并不要求將本申請以特定的方向建構或操作。