[發明專利]半導體工藝生產線派貨方法、存儲介質以及半導體設備

有效

• 申請號: 202010566033.8
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113823581B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 黃進昌
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本申請涉及一種半導體工藝生產線派貨方法、存儲介質以及半導體設備。半導體工藝生產線派貨方法可以獲取機臺中待曝光產品批次的套刻誤差基準曲線，并根據套刻誤差基準曲線設定套刻誤差范圍。在曝光完成后，可以獲取待曝光產品批次的套刻誤差，并判斷套刻誤差是否落入套刻誤差范圍內。若待曝光產品批次的套刻誤差未落入套刻誤差范圍內，則可以采用該機臺繼續加工待曝光產品批次。若待曝光產品批次的套刻誤差落入套刻誤差范圍內，則說明該機臺加工的相鄰兩個產品批次的曝光能量差值較大，需要對機臺進行預冷卻處理，以使套刻誤差位于可以接收的范圍內，保證半導體產品的良品率。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別是涉及一種半導體工藝生產線派貨方法、存儲介質以及半導體設備。

背景技術

在半導體制造過程中，通常采用實時派貨(Real?Time?Dispatch，RTD)系統向多個機臺分配待加工的產品批次，并對每個機臺中待加工產品批次的曝光順序進行調整。

在傳統方案中，RTD系統采用的內置算法通常只關注不同工藝的產品批次之間的時間間隔(Q-time)、產品批次的重要程度(speedup/KANBAN)以及首批產品批次數據(Targeting)等信息，而忽略了前后的產品批次的生產條件，導致產品批次的良品率下降。

發明內容

基于此，有必要針對產品批次良品率下降的問題，提供一種半導體工藝生產線派貨方法、存儲介質以及半導體設備。

本申請提供一種半導體工藝生產線派貨方法，包括：

獲取機臺待曝光產品批次的套刻誤差基準曲線；

根據所述套刻誤差基準曲線，設定套刻誤差范圍；

獲取所述待曝光產品批次曝光后的套刻誤差；

判斷所述套刻誤差是否落入所述套刻誤差范圍內；

若所述套刻誤差落入所述套刻誤差范圍內，則對所述機臺進行預冷卻處理。

在其中一個實施例中，所述對所述機臺進行預冷卻處理，包括：控制所述機臺在曝光下一產品批次之前曝光調試產品批次或等待預設時間。

在其中一個實施例中，在所述獲取所述待曝光產品批次曝光后的套刻誤差之前，還包括：

判斷所述機臺連續曝光的高曝光能量產品批次的晶圓數量是否超過預設晶圓數量，其中所述高曝光能量產品批次為曝光能量大于預設曝光能量的待曝光產品批次；

若所述高曝光能量產品批次的晶圓數量大于所述預設晶圓數量，則對所述機臺進行冷卻處理。

在其中一個實施例中，所述對所述機臺進行冷卻處理，包括：調整所述待曝光產品批次的順序。

在其中一個實施例中，所述套刻誤差基準曲線為三階變形套刻誤差基準曲線。

在其中一個實施例中，所述根據所述套刻誤差基準曲線，設定套刻誤差范圍包括：

根據所述三階變形套刻誤差基準曲線中三階變形套刻誤差的爬升速度以及飽和高度設置套刻誤差閾值；

根據所述套刻誤差閾值設置所述套刻誤差范圍，其中所述套刻誤差范圍的最大值小于所述套刻誤差閾值。

在其中一個實施例中，在控制所述機臺曝光調試產品批次之前，還包括：

獲取前一產品批次的第一曝光能量和所述待曝光產品批次的第二曝光能量，其中所述前一產品批次為與所述待曝光產品批次相鄰的已曝光產品批次；

根據所述第一曝光能量和所述第二曝光能量確定所述調試產品批次的第三曝光能量，所述第三曝光能量在所述第一曝光能量和所述第二曝光能量之間。在其中一個實施例中，在所述根據所述第一曝光能量和所述第二曝光能量確定所述調試產品批次之后，還包括：