[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法、存儲介質(zhì)以及半導(dǎo)體設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010566033.8 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN113823581B | 公開(公告)日: | 2023-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃進(jìn)昌 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝 生產(chǎn)線 方法 存儲 介質(zhì) 以及 半導(dǎo)體設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,包括:
獲取機臺待曝光產(chǎn)品批次的套刻誤差基準(zhǔn)曲線;
根據(jù)所述套刻誤差基準(zhǔn)曲線,設(shè)定套刻誤差范圍;
獲取所述待曝光產(chǎn)品批次曝光后的套刻誤差;
判斷所述套刻誤差是否落入所述套刻誤差范圍內(nèi);
若所述套刻誤差落入所述套刻誤差范圍內(nèi),則對所述機臺進(jìn)行預(yù)冷卻處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述對所述機臺進(jìn)行預(yù)冷卻處理,包括:
控制所述機臺在曝光下一產(chǎn)品批次之前曝光調(diào)試產(chǎn)品批次或等待預(yù)設(shè)時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,在所述獲取所述待曝光產(chǎn)品批次曝光后的套刻誤差之前,還包括:
判斷所述機臺連續(xù)曝光的高曝光能量產(chǎn)品批次的晶圓數(shù)量是否超過預(yù)設(shè)晶圓數(shù)量,其中所述高曝光能量產(chǎn)品批次為曝光能量大于預(yù)設(shè)曝光能量的待曝光產(chǎn)品批次;
若所述高曝光能量產(chǎn)品批次的晶圓數(shù)量大于所述預(yù)設(shè)晶圓數(shù)量,則對所述機臺進(jìn)行冷卻處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述對所述機臺進(jìn)行冷卻處理,包括:
調(diào)整所述待曝光產(chǎn)品批次的順序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述套刻誤差基準(zhǔn)曲線為三階變形套刻誤差基準(zhǔn)曲線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述根據(jù)所述套刻誤差基準(zhǔn)曲線,設(shè)定套刻誤差范圍,包括:
根據(jù)所述三階變形套刻誤差基準(zhǔn)曲線中三階變形套刻誤差的爬升速度以及飽和高度設(shè)置套刻誤差閾值;
根據(jù)所述套刻誤差閾值設(shè)置所述套刻誤差范圍,其中所述套刻誤差范圍的最大值小于所述套刻誤差閾值。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,在控制所述機臺曝光調(diào)試產(chǎn)品批次之前,還包括:
獲取前一產(chǎn)品批次的第一曝光能量和所述待曝光產(chǎn)品批次的第二曝光能量,其中所述前一產(chǎn)品批次為與所述待曝光產(chǎn)品批次相鄰的已曝光產(chǎn)品批次;
根據(jù)所述第一曝光能量和所述第二曝光能量確定所述調(diào)試產(chǎn)品批次的第三曝光能量,所述第三曝光能量在所述第一曝光能量和所述第二曝光能量之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,在所述根據(jù)所述第一曝光能量和所述第二曝光能量確定所述調(diào)試產(chǎn)品批次之后,還包括:
根據(jù)所述前一產(chǎn)品批次的所述第一曝光能量與所述待曝光產(chǎn)品批次的所述第二曝光能量之間的差值,設(shè)定所述調(diào)試產(chǎn)品批次中的晶圓數(shù)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述調(diào)整所述待曝光產(chǎn)品批次的順序之前,還包括:
判斷所述機臺是否預(yù)約有所述待曝光產(chǎn)品批次;
若所述機臺預(yù)約有所述待曝光產(chǎn)品批次,則調(diào)整所述待曝光產(chǎn)品批次。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,調(diào)整所述待曝光產(chǎn)品批次包括:
獲取所述待曝光產(chǎn)品批次的前一產(chǎn)品批次的第一批次編號和所述待曝光產(chǎn)品批次的后一產(chǎn)品批次的第二批次編號;
將第三批次編號的備選產(chǎn)品批次與所述待曝光產(chǎn)品批次的曝光順序進(jìn)行調(diào)換,所述第三批次編號不同于所述第一批次編號和所述第二批次編號。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,在控制所述機臺等待預(yù)設(shè)時間之前,還包括:
根據(jù)所述機臺的透鏡加熱和透鏡冷卻曲線設(shè)定所述機臺所需等待的所述預(yù)設(shè)時間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線派貨方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)時間大于1小時。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





