[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010565707.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111725103A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李淵;吳儀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備，包括工藝腔室和設(shè)置在工藝腔室中的承載臺(tái)，承載臺(tái)用于承載待清洗件，半導(dǎo)體清洗設(shè)備還包括：至少一個(gè)第一噴淋頭，設(shè)置于承載臺(tái)的上方；至少一組清洗液供應(yīng)組件，均與第一噴淋頭連通，用于向第一噴淋頭提供清洗液；以及，至少一組第一等離子體供應(yīng)組件，均與第一噴淋頭連通，用于向第一噴淋頭提供第一等離子體。在本發(fā)明中，第一等離子體與清洗液通過(guò)第一噴淋頭同步噴射至晶圓表面，從而能夠及時(shí)消除清洗液與高速旋轉(zhuǎn)的晶圓摩擦產(chǎn)生的電荷，提高了等離子體的利用率以及消除晶圓表面靜電的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體清洗工藝中，晶圓與清洗液等材料之間摩擦?xí)r極容易產(chǎn)生靜電，損傷晶圓上的微圖形物理結(jié)構(gòu)或?qū)е缕骷P(guān)鍵性能失效。

因此，現(xiàn)有的半導(dǎo)體清洗設(shè)備中通常設(shè)置有電荷消除裝置，用于產(chǎn)生等離子體等物質(zhì)，以中和并去除晶圓表面的電荷。

然而，現(xiàn)有的半導(dǎo)體清洗設(shè)備通常無(wú)法穩(wěn)定去除晶圓表面的電荷，晶圓在加工過(guò)程中受損概率較高，產(chǎn)品良率低。

因此，如何提供一種能夠有效消除晶圓表面電荷的半導(dǎo)體清洗設(shè)備，成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備，該半導(dǎo)體清洗設(shè)備能夠有效消除晶圓表面的靜電。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備，包括工藝腔室和設(shè)置在所述工藝腔室中的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)用于承載待清洗件，所述半導(dǎo)體清洗設(shè)備還包括：

至少一個(gè)第一噴淋頭，設(shè)置于所述承載臺(tái)的上方；

至少一組清洗液供應(yīng)組件，均與所述第一噴淋頭連通，用于向所述第一噴淋頭提供清洗液；以及，

至少一組第一等離子體供應(yīng)組件，均與所述第一噴淋頭連通，用于向所述第一噴淋頭提供第一等離子體。

優(yōu)選地，所述第一噴淋頭具有至少一個(gè)第一噴射口和至少一個(gè)第二噴射口，其中，所述第一噴射口均與所述清洗液供應(yīng)組件連通，用于向所述待清洗件噴淋所述清洗液，所述第二噴射口均與所述第一等離子體供應(yīng)組件連接，用于向所述待清洗件噴淋所述第一等離子體。

優(yōu)選地，所述第一等離子體供應(yīng)組件包括第一氣體管路和第一等離子體發(fā)生器，所述第一等離子體發(fā)生器與所述第一噴淋頭連通，所述第一等離子體發(fā)生器能夠?qū)⑺龅谝粴怏w管路中的氣體轉(zhuǎn)化為所述第一等離子體。

優(yōu)選地，還包括功率控制單元，且所述承載臺(tái)可旋轉(zhuǎn)，所述功率控制單元能夠根據(jù)所述承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速調(diào)整所述第一等離子體發(fā)生器的功率，使得所述第一等離子體發(fā)生器的功率與所述承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速正相關(guān)。

優(yōu)選地，還包括與所述第一噴淋頭一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一擺臂，且所述第一噴淋頭固定連接在所述第一擺臂上，所述第一擺臂用于改變所述第一噴淋頭與所述承載臺(tái)之間的相對(duì)位置。

優(yōu)選地，還包括至少一個(gè)第二噴淋頭和至少一組第二等離子體供應(yīng)組件，所述第二噴淋頭設(shè)置在所述承載臺(tái)的上方，且相對(duì)所述承載臺(tái)位置固定；所述第二等離子體供應(yīng)組件用于向所述第二噴淋頭提供第二等離子體。

優(yōu)選地，所述第二等離子體供應(yīng)組件包括第二氣體管路和第二等離子體發(fā)生器，所述第二等離子體發(fā)生器與所述第二噴淋頭連通，所述第二等離子體發(fā)生器能夠?qū)⑺龅诙怏w管路中的氣體轉(zhuǎn)化為所述第二等離子體。

優(yōu)選地，所述第二噴淋頭的噴射方向均與所述承載臺(tái)的承載面之間的夾角為0°至60°。

優(yōu)選地，所述清洗液供應(yīng)組件用于向所述第一噴淋頭提供去離子水，所述第一等離子為氮?dú)獾入x子體。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體清洗設(shè)備還包括化學(xué)藥液噴淋裝置，用于向所述待清洗件表面噴淋化學(xué)藥液。