[發明專利]一種半導體清洗設備在審
| 申請號: | 202010565707.2 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111725103A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 李淵;吳儀 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 清洗 設備 | ||
1.一種半導體清洗設備,包括工藝腔室和設置在所述工藝腔室中的承載臺,所述承載臺用于承載待清洗件,其特征在于,所述半導體清洗設備還包括:
至少一個第一噴淋頭,設置于所述承載臺的上方;
至少一組清洗液供應組件,均與所述第一噴淋頭連通,用于向所述第一噴淋頭提供清洗液;以及,
至少一組第一等離子體供應組件,均與所述第一噴淋頭連通,用于向所述第一噴淋頭提供第一等離子體。
2.根據權利要求1所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述第一噴淋頭具有至少一個第一噴射口和至少一個第二噴射口,其中,所述第一噴射口均與所述清洗液供應組件連通,用于向所述待清洗件噴淋所述清洗液,所述第二噴射口均與所述第一等離子體供應組件連接,用于向所述待清洗件噴淋所述第一等離子體。
3.根據權利要求1所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述第一等離子體供應組件包括第一氣體管路和第一等離子體發生器,所述第一等離子體發生器與所述第一噴淋頭連通,所述第一等離子體發生器能夠將所述第一氣體管路中的氣體轉化為所述第一等離子體。
4.根據權利要求3所述的半導體清洗設備,其特征在于,還包括功率控制單元,且所述承載臺可旋轉,所述功率控制單元能夠根據所述承載臺的轉速調整所述第一等離子體發生器的功率,使得所述第一等離子體發生器的功率與所述承載臺的轉速正相關。
5.根據權利要求1所述的半導體清洗設備,其特征在于,還包括與所述第一噴淋頭一一對應設置的第一擺臂,且所述第一噴淋頭固定連接在所述第一擺臂上,所述第一擺臂用于改變所述第一噴淋頭與所述承載臺之間的相對位置。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的半導體清洗設備,其特征在于,還包括至少一個第二噴淋頭和至少一組第二等離子體供應組件,所述第二噴淋頭設置在所述承載臺的上方,且相對所述承載臺位置固定;所述第二等離子體供應組件用于向所述第二噴淋頭提供第二等離子體。
7.根據權利要求6中所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述第二等離子體供應組件包括第二氣體管路和第二等離子體發生器,所述第二等離子體發生器與所述第二噴淋頭連通,所述第二等離子體發生器能夠將所述第二氣體管路中的氣體轉化為所述第二等離子體。
8.根據權利要求7所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述第二噴淋頭的噴射方向均與所述承載臺的承載面之間的夾角為0°至60°。
9.根據權利要求1所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述清洗液供應組件用于向所述第一噴淋頭提供去離子水,所述第一等離子為氮氣等離子體。
10.根據權利要求1所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述半導體清洗設備還包括化學藥液噴淋裝置,用于向所述待清洗件表面噴淋化學藥液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





