[發(fā)明專利]三芯片封裝工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010565452.X | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111816575B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐江;余方平;童順標;丁廣福 | 申請(專利權)人: | 浙江亞芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L25/00 |
| 代理公司: | 浙江永航聯(lián)科專利代理有限公司 33304 | 代理人: | 俞培鋒 |
| 地址: | 314419 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 工藝 | ||
1.三芯片封裝工藝,其特征在于,包括如下步驟:
a、備料:準備引線框架和晶圓;
b、芯片粘接:通過裝片機將第一芯片、第二芯片和第三芯片粘接到引線框上,使用的材料為銀漿;
c、銀漿固化:將粘接好的半成品放入到固化箱中使銀漿固化;
d、引線焊接:利用高純度的金線、銅線或鋁線對粘接好的半成品進行焊線;
e、注塑:通過塑封設備對焊接好的半成品進行塑封;
f、激光打字:通過激光打標機在半成品的正面進行刻字;
g、模后固化:將半成品放入到固化裝置中進行二次固化,溫度為170-180℃;
h、去溢料;通過弱酸浸泡的方式將將半成品上的多余膠料除去;
i、電鍍:通過電鍍裝置對去溢料好的半成品進行電鍍;
j、電鍍退火:通過處理箱對電鍍好的半成品進行退火,溫度為145-150℃,時間100-120min;
k、切筋成型:通過切筋成型機將退火好的半成品進行切筋成型,制得成品;
所述裝片機包括機架,機架上設置有上料機構,上料機構包括支撐臺以及放置在傳動帶上的多個基板,所述支撐臺固定在機架上,所述支撐臺上固定安裝有兩個固定桿,兩個所述固定桿之間固定安裝有支撐桿以及隔離罩,且隔離罩的下端面固定粘貼有橡膠墊一,所述支撐桿上固定安裝有氣泵,所述氣泵上連通有吸氣主管、出氣管,且出氣管的下端貫穿隔離罩并固定安裝有管座一,所述隔離罩遠離出氣管的一側固定安裝有兩個桿架,兩個所述桿架之間通過安裝結構安裝有毛刷輥,兩個所述桿架相互遠離一側的側壁上還固定安裝有一個穩(wěn)定塊,且穩(wěn)定塊的下表面固定粘貼有橡膠墊二,所述吸氣主管與毛刷輥之間安裝有吸塵結構;所述出氣管的下端連通有布袋;所述安裝結構由兩個安裝座一、兩個安裝塊、兩個螺桿、兩個通孔以及兩個螺紋槽組成,兩個所述桿架的下端均開設有一個螺紋槽,所述毛刷輥的兩端均轉動安裝有一個安裝座一,兩個所述安裝座一上均開設有通孔,兩個所述螺紋槽上均螺紋安裝有一個安裝塊,且安裝塊的一端穿過相應的通孔;所述吸塵結構由吸氣支管、閥門以及管座二組成,所述吸氣主管上連通有吸氣支管,所述吸氣支管的下端連通有管座二,且管座二的長度等于毛刷輥的長度,所述吸氣主管上安裝有閥門;兩個所述桿架上均固定安裝有一個加強桿,且兩加強桿相互靠近的一端均固定安裝在吸氣支管上。
2.根據(jù)權利要求1所述的三芯片封裝工藝,其特征在于,所述步驟c中固化的條件為:在氮氣環(huán)境下,溫度控制在172-178℃,時間控制在40-70min。
3.根據(jù)權利要求1所述的三芯片封裝工藝,其特征在于,所述步驟e中所用的材料為環(huán)氧樹脂塑封料。
4.根據(jù)權利要求1所述的三芯片封裝工藝,其特征在于,所述步驟i中采用的是無鉛電鍍,采用大于99.96%的高純度錫。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





