[發(fā)明專利]用于將物理層與通過(guò)多重圖案化形成的圖案對(duì)齊的方法和相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010565189.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112446186B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 細(xì)川浩平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/392 | 分類號(hào): | G06F30/392;G03F9/00;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 物理層 通過(guò) 多重 圖案 形成 對(duì)齊 方法 相關(guān) 聯(lián)系 | ||
公開(kāi)了用于將物理層與通過(guò)多重圖案化形成的圖案對(duì)齊的方法以及相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)。一種方法可以包含確定用于通過(guò)多重圖案化形成圖案的第一層與第二層之間的未對(duì)齊向量。所述方法還可以包含基于所述第一層與所述第二層之間的所述未對(duì)齊向量計(jì)算所述圖案的中心位置。進(jìn)一步地,所述方法可以包含將第三層與所述圖案的中心位置對(duì)齊。
本申請(qǐng)要求于2019年8月30日提交的針對(duì)“用于將物理層與通過(guò)多重圖案化形成的圖案對(duì)齊的方法和相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)(Methods for Aligning a Physical Layer to aPattern Formed via Multi-Patterning,and Associated Systems)”的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)16/556,927的權(quán)益。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造,并且更具體地涉及將物理層與通過(guò)多重圖案化形成的圖案對(duì)齊的方法。又更具體地,一些實(shí)施例涉及確定通過(guò)一或多個(gè)多重圖案化操作形成的圖案的中心,以及將物理層與圖案的中心對(duì)齊的方法和相關(guān)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
作為常用于集成電路(IC)制造的一種工藝的光刻可以用于通過(guò)向沉積在襯底上的反應(yīng)性材料或抗蝕劑受控地施加能量(例如,電磁、離子束或其它輻射)來(lái)在襯底上創(chuàng)建二維圖案。隨著襯底處理中的幾何形狀繼續(xù)收縮,在襯底上形成結(jié)構(gòu)的技術(shù)挑戰(zhàn)增加。一種用于實(shí)現(xiàn)愈加減小的臨界尺寸的適合的光刻技術(shù)涉及用于提供間距分離的多重圖案化技術(shù)。此類多重圖案化技術(shù)包含例如雙重圖案化(即,涉及兩個(gè)圖案層)、三重圖案化(即,涉及三個(gè)圖案層)和四重圖案化(即,涉及四個(gè)圖案層)。在多重圖案化工藝中,將在單個(gè)光刻步驟中不可打印的目標(biāo)圖案分解為可以通過(guò)單個(gè)光刻步驟印刷的具有較小間距的多個(gè)圖案層。在雙重圖案化的情況下,目標(biāo)圖案被分解為第一圖案層和第二圖案層。
隨著多重圖案化光刻的演進(jìn),IC制造中的另一個(gè)挑戰(zhàn)包含對(duì)齊IC的連續(xù)結(jié)構(gòu)(例如,層和/或圖案),以確保IC的結(jié)構(gòu)之間的適當(dāng)電接觸。在未適當(dāng)對(duì)齊的情況下,IC可能無(wú)法按規(guī)格(如果有的話)運(yùn)行。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)的一或多個(gè)實(shí)施例包含將物理層與圖案對(duì)齊的方法。所述方法可以包含確定用于通過(guò)多重圖案化形成圖案的第一層與第二層之間的未對(duì)齊向量。所述方法還可以包含基于所述第一層與所述第二層之間的所述未對(duì)齊向量計(jì)算所述圖案的中心位置。進(jìn)一步地,所述方法可以包含將第三層與所述圖案的中心位置對(duì)齊。
在另一個(gè)實(shí)施例中,將物理層與圖案對(duì)齊的方法可以包含確定與通過(guò)多重圖案化形成的圖案相關(guān)聯(lián)的位移向量。所述方法可以進(jìn)一步包含基于所述位移向量確定所述圖案的中心位置。進(jìn)一步地,所述方法可以包含基于多個(gè)可測(cè)量向量確定導(dǎo)電層與所述圖案的所述中心位置之間的配準(zhǔn)向量。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,一種方法可以包含將物理層與通過(guò)多重圖案化光刻形成的虛擬層對(duì)齊。在此實(shí)施例中,所述方法包含通過(guò)多重圖案化形成虛擬層,以及確定用于形成所述虛擬層的至少兩個(gè)物理層之間的位移向量。進(jìn)一步地,所述方法可以包含基于所述位移向量確定所述虛擬層的中心。而且,所述方法可以包含確定第三物理層與所述虛擬層的所述中心之間的配準(zhǔn)向量。此外,所述方法可以包含基于所述配準(zhǔn)向量將第三物理層與所述虛擬層的中心對(duì)齊。
本公開(kāi)的一些實(shí)施例包含一種系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可以包含一或多個(gè)處理器。所述一或多個(gè)處理器可以被配置成確定用于通過(guò)多重圖案化形成圖案的第一層與第二層之間的配準(zhǔn)向量。所述一或多個(gè)處理器還可以被配置成基于所述第一層與所述第二層之間的所述配準(zhǔn)向量以及與所述第一層和所述第二層相關(guān)聯(lián)的第一變換矩陣來(lái)確定所述圖案的位置。進(jìn)一步地,所述一或多個(gè)處理器可以被配置成基于以下中的兩個(gè)或兩個(gè)以上確定第三層與所述圖案之間的配準(zhǔn)向量:所述第一層與所述第二層之間的所述配準(zhǔn)向量、所述第三層與所述第一層之間的配準(zhǔn)向量以及所述第三層和所述第二層之間的配準(zhǔn)向量。
附圖說(shuō)明
圖1展示了淺溝槽隔離模塊和字線模塊。
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