[發明專利]一種反應腔體及其處理方法

在審

• 申請號: 202010565083.4
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113823546A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 張亞梅;蔡新晨;葉五毛
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京允天律師事務所 11697
• 代理人: 李建航

本發明提供一種反應腔體及其處理方法，反應腔體用于在襯底上形成含碳的無定型陶瓷膜，包括：襯底支撐座，襯底支撐座用于作為一端電極且用于對襯底進行加熱，襯底支撐座的表面和反應腔體內壁依次形成有第一保護膜和第二保護膜，第一保護膜為氧化物陶瓷薄膜，第二保護膜為含碳的無定型陶瓷膜。這樣，通過在反應腔體內壁上和襯底支撐座表面形成結構致密的氧化物陶瓷薄膜，襯底支撐座的表面上的氧化物陶瓷薄膜將襯底與襯底支撐座隔離開，避免襯底支撐座上的離子擴散至襯底表面，同時反應腔體內壁上的氧化物陶瓷薄膜避免反應離子或雜質離子粘附在反應腔體內壁上對反應腔體造成污染。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種反應腔體及其處理方法。

背景技術

非晶碳膜是一種具有非晶態和微晶態結構的含氫碳膜(Hydrogenated AmorphousCarbon Film)，具有高硬度、抗耐磨、光學透光性、低摩擦系數及化學惰性等優異性能，廣泛用于集成電路中。

目前在晶圓上沉積非晶碳膜，主要是通過將晶圓置于反應腔體內的加熱盤上，而后向反應腔體內通入氣體，以在晶圓上生成薄膜。

但是目前的加熱盤采用鋁制加熱盤，加熱盤中的離子容易擴散至晶圓背面，從而影響后續制程。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種反應腔體及其，避免加熱盤中的離子進入晶圓背面。

為實現上述目的，本發明有如下技術方案：

一種反應腔體，所述反應腔體用于在襯底上形成含碳的無定型陶瓷膜，包括：

襯底支撐座，所述襯底支撐座用于作為一端電極且用于對襯底進行加熱；

所述襯底支撐座的表面和所述反應腔體內壁依次形成有第一保護膜和第二保護膜；

所述第一保護膜為氧化物陶瓷薄膜，所述第二保護膜為含碳的無定型陶瓷膜。

可選的，所述在襯底上形成的含碳的無定型陶瓷膜與所述第二保護膜相同。

一種反應腔體的處理方法，所述反應腔體用于在襯底上形成含碳的無定型陶瓷膜，所述反應腔體包括：襯底支撐座，所述襯底支撐座用于作為一端電極且用于對襯底進行加熱，所述方法包括：

在所述反應腔體的內壁和所述襯底支撐座表面形成氧化物陶瓷薄膜；

在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的無定型陶瓷膜。

可選的，還包括：

將襯底置于上述所述的反應腔體內的襯底支撐座上，在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷膜。

可選的，所述在所述反應腔體中形成氧化物陶瓷薄膜包括：

向所述反應腔體通入硅烷和含氮的氧化物，對所述硅烷和所述含氮的氧化物進行第一射頻處理，以在所述反應腔體中形成氧化物陶瓷薄膜。

可選的，所述在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的無定型陶瓷膜包括：

向所述反應腔體內通入不飽和烴和惰性氣體，對所述不飽和烴和所述惰性氣體進行第二射頻處理，以在所述氧化物陶瓷薄膜的表面形成含碳的無定型陶瓷膜。

可選的，所述進行第一射頻處理時的功率不大于所述進行第二射頻處理時的功率。

可選的，所述在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷包括：

向所述反應腔體內通入不飽和烴和惰性氣體，對所述不飽和烴和所述惰性氣體進行第三射頻處理，以在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷膜。

可選的，還包括：

從所述反應腔體內取出所述襯底；