[發明專利]一種反應腔體及其處理方法在審
| 申請號： | 202010565083.4 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN113823546A | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 張亞梅;蔡新晨;葉五毛 | 申請（專利權）人： | 拓荊科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京允天律師事務所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 110171 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反應 及其 處理 方法 | ||
1.一種反應腔體，其特征在于，所述反應腔體用于在襯底上形成含碳的無定型陶瓷膜，包括：
襯底支撐座，所述襯底支撐座用于作為一端電極且用于對襯底進行加熱；
所述襯底支撐座的表面和所述反應腔體內壁依次形成有第一保護膜和第二保護膜；
所述第一保護膜為氧化物陶瓷薄膜，所述第二保護膜為含碳的無定型陶瓷膜。
2.根據權利要求1所述的反應腔體，其特征在于，所述在襯底上形成的含碳的無定型陶瓷膜與所述第二保護膜相同。
3.一種反應腔體的處理方法，其特征在于，所述反應腔體用于在襯底上形成含碳的無定型陶瓷膜，所述反應腔體包括：襯底支撐座，所述襯底支撐座用于作為一端電極且用于對襯底進行加熱，所述方法包括：
在所述反應腔體的內壁和所述襯底支撐座表面形成氧化物陶瓷薄膜；
在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的無定型陶瓷膜。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括：
將襯底置于權利要求1或2所述的反應腔體內的襯底支撐座上，在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷膜。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述反應腔體中形成氧化物陶瓷薄膜包括：
向所述反應腔體通入硅烷和含氮的氧化物，對所述硅烷和所述含氮的氧化物進行第一射頻處理，以在所述反應腔體中形成氧化物陶瓷薄膜。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化物陶瓷薄膜形成含碳的無定型陶瓷膜包括：
向所述反應腔體內通入不飽和烴和惰性氣體，對所述不飽和烴和所述惰性氣體進行第二射頻處理，以在所述氧化物陶瓷薄膜的表面形成含碳的無定型陶瓷膜。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述進行第一射頻處理時的功率不大于所述進行第二射頻處理時的功率。
8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷包括：
向所述反應腔體內通入不飽和烴和惰性氣體，對所述不飽和烴和所述惰性氣體進行第三射頻處理，以在所述襯底表面形成含碳的無定型陶瓷膜。
9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：
從所述反應腔體內取出所述襯底；
去除所述反應腔體中的所述含碳的無定型陶瓷膜以及所述氧化物陶瓷薄膜。
10.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述進行第一射頻處理時的射頻頻率為27MHz～28MHz。
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