[發(fā)明專利]一種在電路板的銅層上去除干膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010564873.0
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113825319B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設計）人: 任念;雷志紅
• 申請（專利權）人: 健鼎(湖北)電子有限公司
• 主分類號: H05K3/18
• 分類號: H05K3/18
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 楊文錄

本發(fā)明公開了一種在電路板的銅層上去除干膜的方法，涉及電路板制造領域。該方法的步驟包括：提供電路板基材，電路板基材的表面上設置有銅層；在銅層上形成具有多個開口的干膜，每個開口內暴露的銅層區(qū)域為鍍金區(qū)域；在每個鍍金區(qū)域內形成金屬層；將電路板在50～60℃的溫度下，在有機去膜液中進行浸泡去膜，有機去膜液包括氫氧化鈉、界面活性劑、護銅劑和再生劑；浸泡完成后，銅層的銅面氧化率為0.13％～1.25％。

技術領域

本發(fā)明涉及電路板制造領域，具體涉及一種在電路板的銅層上去除干膜的方法。

背景技術

PCB(Printed?Circuit?Board，印刷電路板)是依電路設計將連接電路零件的電子布線制成圖形，再經過特定的機械加工、處理等過程，于絕緣體上使電子導體重現(xiàn)所構成之電路板，主要目的是借由電路板上的電路讓配置于電路板上的電子零件發(fā)揮功能。

隨著電子產品的高性能化，PCB的表面處理會選用性能優(yōu)良的鍍金或化金。為了保護PCB的基材，在鍍金或化金之前，通常會使用干膜覆蓋電路板基材的表面，并選擇性地暴露出需鍍金或化金的銅表面。在鍍金或化金之后，進行去膜。目前一般采用NaOH(氫氧化鈉)作為去膜液進行浸泡電路板去膜(一般浸泡4～5次)。但是，采用NaOH進行去膜時，存在以下缺陷：

NaOH會與PCB的銅面發(fā)生反應生產Cu(O?H)₂，即會造成銅面氧化；進一步，NaOH去除干膜所需的總時長較長(浸泡4次的總時長一般為680s)，長時間的去膜時間以及NaOH自身的特性都會加快銅面的氧化速度和氧化面積，這嚴重降低了整個PCB的質量。

發(fā)明內容

針對現(xiàn)有技術中存在的缺陷，本發(fā)明解決的技術問題為：如何在顯著縮短去除干膜所需的時長的同時，避免電路板的銅面被過度氧化。

為達到以上目的，本發(fā)明提供的在電路板的銅層上去除干膜的方法，包括以下步驟：

S1：提供電路板基材，電路板基材的表面上設置有銅層；

S2：在銅層上形成具有多個開口的干膜，每個開口內暴露的銅層區(qū)域為鍍金區(qū)域；

S3：在每個鍍金區(qū)域內形成金屬層；

S4：將電路板在50～60℃的溫度下，在有機去膜液中進行浸泡去膜，浸泡次數(shù)為4～5次，每次浸泡時長為83～102s；有機去膜液包括濃度為4.2～7wt％的氫氧化鈉、濃度為0.9～1.5wt％的界面活性劑、濃度為0.6～1.0wt％的護銅劑、以及濃度為0.3～0.5wt％的再生劑，氫氧化鈉、界面活性劑、護銅劑和再生劑的總濃度為6～10wt％；浸泡完成后，銅層的銅面氧化率為0.13％～1.25％。

在上述技術方案的基礎上，S2的具體流程包括：使用微影制程形成圖案化干膜，將銅層在135℃的溫度下烘烤30分鐘后進行烘烤處理后，通過熱壓輪在銅層表面貼上干膜。

在上述技術方案的基礎上，S3中所述金屬層包括含鎳層以及位于含鎳層上的金層。

在上述技術方案的基礎上，S4的具體流程包括：將電路板在55℃的溫度下，在有機去膜液中浸泡，浸泡次數(shù)為4次；浸泡時長依次為90s、93s、96s、99s，有機去膜液包括濃度為5.6wt％的氫氧化鈉、濃度為1.2wt％的界面活性劑、濃度為0.8wt％的護銅劑、以及濃度為0.4wt％的再生劑，浸泡完成后，銅面氧化率為0.97％。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

本發(fā)明通過自主研發(fā)的有機去膜液與對應的參數(shù)配合，經測試和對比得出，與現(xiàn)有技術中平均去膜時長為545s、浸泡9分鐘后會發(fā)生嚴重的銅面氧化(銅面氧化率為35％)的去膜方式相比，采用本發(fā)明的方法去除電路板干膜所需的平均時長僅為341s，而且浸泡10分鐘才會發(fā)生輕微的銅面氧化(銅面氧化率為0.13％)。