[發明專利]一種在電路板的銅層上去除干膜的方法

有效

• 申請號: 202010564873.0
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113825319B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 任念;雷志紅
• 申請（專利權）人: 健鼎(湖北)電子有限公司
• 主分類號: H05K3/18
• 分類號: H05K3/18
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 楊文錄

1.一種在電路板的銅層上去除干膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

S1：提供電路板基材(10)，電路板基材(10)的表面上設置有銅層(11)；

S2：在銅層(11)上形成具有多個開口的干膜(12)，每個開口內暴露的銅層區域為鍍金區域(13)；

S3：在每個鍍金區域(13)內形成金屬層(14)；

S4：將電路板在50～60℃的溫度下，在有機去膜液中進行浸泡去膜，浸泡次數為4～5次，每次浸泡時長為83～102s；有機去膜液包括濃度為4.2～7wt％的氫氧化鈉、濃度為0.9～1.5wt％的界面活性劑、濃度為0.6～1.0wt％的護銅劑、以及濃度為0.3～0.5wt％的再生劑，氫氧化鈉、界面活性劑、護銅劑和再生劑的總濃度為6～10wt％；浸泡完成后，銅層(11)的銅面氧化率為0.13％～1.25％；

S2的具體流程包括：使用微影制程形成圖案化干膜(12)，將銅層(11)在135℃的溫度下烘烤30分鐘后進行烘烤處理后，通過熱壓輪在銅層(11)表面貼上干膜(12)；

S3中所述金屬層(14)包括含鎳層以及位于含鎳層上的金層。

2.如權利要求1所述的在電路板的銅層上去除干膜的方法，其特征在于，S4的具體流程包括：將電路板在55℃的溫度下，在有機去膜液中浸泡，浸泡次數為4次；浸泡時長依次為90s、93s、96s、99s，有機去膜液包括濃度為5.6wt％的氫氧化鈉、濃度為1.2wt％的界面活性劑、濃度為0.8wt％的護銅劑、以及濃度為0.4wt％的再生劑，浸泡完成后，銅面氧化率為0.97％。