[發(fā)明專(zhuān)利]磁盤(pán)裝置以及頭的調(diào)整方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010564599.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113284518B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大竹雅哉;竹尾昭彥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/09
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/09;G11B5/39;G11B21/02;G11B5/012
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 萬(wàn)利軍;段承恩

實(shí)施方式提供能提高可靠性的磁盤(pán)裝置及頭的調(diào)整方法。磁盤(pán)裝置具備：第1盤(pán)，具有第1面；第2盤(pán)，具有與第1面不同的第2面；第1頭，具有第1寫(xiě)入頭和第1輔助元件，第1寫(xiě)入頭以第1記錄密度向第1面寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第1輔助元件使得朝向第1面產(chǎn)生提高第1寫(xiě)入頭的寫(xiě)入性能的第1能量；第2頭，具有第2寫(xiě)入頭和第2輔助元件，第2寫(xiě)入頭以第2記錄密度向第2面寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第2輔助元件使得朝向第2面產(chǎn)生提高第2寫(xiě)入頭的寫(xiě)入性能的第2能量；及控制器，根據(jù)能夠用第1頭向第1盤(pán)寫(xiě)入的第1記錄容量和能夠用第2頭向第2盤(pán)寫(xiě)入的第2記錄容量來(lái)對(duì)第1記錄密度和第2記錄密度中的至少一方進(jìn)行變更。

本申請(qǐng)享受以日本專(zhuān)利申請(qǐng)2020－26019號(hào)(申請(qǐng)日：2020年2月19日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁盤(pán)裝置以及頭的調(diào)整方法。

背景技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)磁盤(pán)裝置的高記錄密度化以及高記錄容量化，開(kāi)發(fā)了高頻(微波)輔助磁記錄型式(Microwave Assisted Magnetic Recording:MAMR)、熱輔助磁記錄(ThermallyAssisted Magnetic Recording:TAMR)型式等。高頻輔助記錄型式是如下技術(shù)：使用具有記錄磁極(主磁極)和高頻振蕩器的磁頭，向盤(pán)施加通過(guò)對(duì)高頻振蕩器進(jìn)行通電來(lái)產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)，由此使施加了高頻磁場(chǎng)的盤(pán)的部分的頑磁力降低，所述記錄磁極通過(guò)被施加記錄電流而勵(lì)磁來(lái)產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)。熱輔助磁記錄型式是如下技術(shù)：使用具有將照射光向盤(pán)照射的光照射元件的磁頭，從光照射元件的前端將照射光照射到盤(pán)來(lái)對(duì)盤(pán)進(jìn)行局部的加熱，由此使被加熱了的盤(pán)的部分的頑磁力降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供能提高可靠性的磁盤(pán)裝置以及頭的調(diào)整方法。

本實(shí)施方式涉及的磁盤(pán)裝置具備：第1盤(pán)，其具有第1面；第2盤(pán)，其具有與所述第1面不同的第2面；第1頭，其具有第1寫(xiě)入頭和第1輔助元件，所述第1寫(xiě)入頭以第1記錄密度向所述第1面寫(xiě)入數(shù)據(jù)，所述第1輔助元件使得朝向所述第1面產(chǎn)生提高所述第1寫(xiě)入頭的寫(xiě)入性能的第1能量；第2頭，其具有第2寫(xiě)入頭和第2輔助元件，所述第2寫(xiě)入頭以第2記錄密度向所述第2面寫(xiě)入數(shù)據(jù)，所述第2輔助元件使得朝向所述第2面產(chǎn)生提高所述第2寫(xiě)入頭的寫(xiě)入性能的第2能量；以及控制器，其根據(jù)能夠用所述第1頭向所述第1盤(pán)寫(xiě)入的第1記錄容量和能夠用所述第2頭向所述第2盤(pán)寫(xiě)入的第2記錄容量來(lái)對(duì)所述第1記錄密度和所述第2記錄密度中的至少一方進(jìn)行變更。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式涉及的磁盤(pán)裝置的構(gòu)成的框圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式涉及的盤(pán)和頭的一個(gè)例子的放大剖視圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式涉及的頭相對(duì)于盤(pán)的配置的一個(gè)例子的示意圖。

圖4是表示各頭的記錄密度的表的一個(gè)例子的圖。

圖5是表示各盤(pán)的記錄面的記錄容量的表的一個(gè)例子的圖。

圖6是表示從各頭的輔助元件產(chǎn)生的能量的輔助量的表的一個(gè)例子的圖。

圖7是表示供給至各頭的輔助元件的元件能量的元件能量量(Amount of energy)的表的一個(gè)例子的圖。

圖8是表示第1實(shí)施方式涉及的元件能量量和元件能量決定值的關(guān)系的一個(gè)例子的圖。

圖9是表示第1實(shí)施方式涉及的頭的調(diào)整方法的一個(gè)例子的流程圖。

圖10是表示變形例1涉及的頭的調(diào)整方法的一個(gè)例子的流程圖。

圖11是表示第2實(shí)施方式涉及的頭的調(diào)整方法的一個(gè)例子的流程圖。

圖12是表示第3實(shí)施方式涉及的頭的一個(gè)例子的放大剖視圖。

具體實(shí)施方式