[發明專利]磁盤裝置以及頭的調整方法

有效

• 申請號: 202010564599.7
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113284518B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 大竹雅哉;竹尾昭彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/09
• 分類號: G11B5/09;G11B5/39;G11B21/02;G11B5/012
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 萬利軍;段承恩

1.一種磁盤裝置，具備：

第1盤，其具有第1面；

第2盤，其具有與所述第1面不同的第2面；

第1頭，其具有第1寫入頭和第1輔助元件，所述第1寫入頭以第1記錄密度向所述第1面寫入數據，所述第1輔助元件使得朝向所述第1面產生提高所述第1寫入頭的寫入性能的第1能量；

第2頭，其具有第2寫入頭和第2輔助元件，所述第2寫入頭以第2記錄密度向所述第2面寫入數據，所述第2輔助元件使得朝向所述第2面產生提高所述第2寫入頭的寫入性能的第2能量；以及

控制器，其根據能夠用所述第1頭向所述第1盤寫入的第1記錄容量和能夠用所述第2頭向所述第2盤寫入的第2記錄容量來對所述第1記錄密度和所述第2記錄密度中的至少一方進行變更，

所述控制器根據所述第1記錄容量和所述第2記錄容量來對向所述第1輔助元件供給的第3能量和向所述第2輔助元件供給的第4能量中的至少一方進行變更。

2.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述第1記錄容量和所述第2記錄容量的合計容量比向所述第1面寫入的數據容量的第1目標值和向所述第2面寫入的數據容量的第2目標值的合計目標值大的情況下，使所述第1記錄密度和所述第2記錄密度中的至少一方減少，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方減少。

3.根據權利要求2所述的磁盤裝置，

所述控制器在對所述第3能量進行了變更的情況下的所述第1輔助元件的壽命的第1變化量比對所述第4能量進行了變更的情況下的所述第2輔助元件的壽命的第2變化量大的情況下，使所述第1記錄密度減少，使所述第3能量減少。

4.根據權利要求2所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述第3能量相對于能夠向所述第1輔助元件供給的第1上限能量的第1比率比所述第4能量相對于能夠向所述第2輔助元件供給的第2上限能量的第2比率大的情況下，使所述第1記錄密度減少，使所述第3能量減少。

5.根據權利要求3或者4所述的磁盤裝置，

所述第1記錄密度是線記錄密度。

6.根據權利要求5所述的磁盤裝置，

所述控制器使以所述第1頭向所述第1面寫入數據時的磁道密度增加。

7.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述第1記錄容量和所述第2記錄容量的合計容量比向所述第1面寫入的數據容量的第1目標值和向所述第2面寫入的數據容量的第2目標值的合計目標值小的情況下，使所述第1記錄密度和所述第2記錄密度中的至少一方增大，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方增大。

8.根據權利要求7所述的磁盤裝置，

所述控制器在對所述第3能量進行了變更的情況下的所述第1輔助元件的壽命的第1變化量比對所述第4能量進行了變更的情況下的所述第2輔助元件的壽命的第2變化量小的情況下，使所述第1記錄密度增大，使所述第3能量增大。

9.根據權利要求7所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述第3能量相對于能夠向所述第1輔助元件供給的第1上限能量的第1比率比所述第4能量相對于能夠向所述第2輔助元件供給的第2上限能量的第2比率小的情況下，使所述第1記錄密度增大，使所述第3能量增大。

10.根據權利要求8或者9所述的磁盤裝置，

所述第1記錄密度是線記錄密度。

11.根據權利要求10所述的磁盤裝置，

所述控制器使以所述第1頭向所述第1面寫入數據時的磁道密度減少。

12.根據權利要求1～4、7～9中任一項所述的磁盤裝置，

所述第1輔助元件和所述第2輔助元件是使得高頻磁場產生的自旋轉矩振蕩器。