[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010564522.X
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112117246A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 青池將之
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

本發明提供一種適合高散熱性、高輸出、高集成化的半導體裝置及其制造方法。半導體裝置(110)具備：基板(1)，在上表面具有電路元件以及與該電路元件連接的電極；以及外部連接用的導體柱凸塊(PB)，設置在該基板(1)上與電極或者電路元件(21)接觸并電連接?；?1)包含第一基材(10)、和配置在該第一基材(10)上的第二基材(20)，電路元件(21)以及電極形成于第二基材(20)，第一基材(10)的熱阻比第二基材(20)的熱阻低。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，尤其涉及用于高頻電路并具有發熱部的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

以往，已知有經由凸塊將半導體裝置安裝于安裝基板并將凸塊作為散熱路徑來利用的半導體裝置。

例如在專利文獻1中，示出了構成有在化合物半導體基板上并聯連接多個單位晶體管而成的異質結雙極晶體管(HBT)的化合物半導體裝置。這多個單位晶體管排列于化合物半導體基板，凸塊與這多個單位晶體管的發射極電連接。

專利文獻1：日本特開2016－103540號公報

在形成有移動體通信、衛星通信等中使用的高頻放大電路的MMIC(MonolithicMicrowave Integrated Circuit：單片微波集成電路)中，隨著近年來的進一步高速/高功能化，由RFFE(RF Front-End)的損失的增加以及功率放大器設備的自發熱引起的特性極限成為課題。例如，在雙極晶體管中，因其集電極損失而發熱，且由于雙極晶體管本身的升溫，基極-發射極間電壓Vbe降低，由此若施加集電極電流增大、Vbe進一步降低這樣的正反饋則導致熱失控。若MMIC的散熱性不高，則在不發生熱失控的范圍內能夠使用的電力受到限制，所以作為其結果，能夠運用的電力與MMIC的尺寸處于權衡的關系。

另外，由于在RFFE模塊中，混合安裝使用GaAs基板的功率放大器、使用LiTaO₃基板、LiNbO₃基板的SAW器件等基板材料不同的器件，所以隨著進一步的高性能化/小型化/低成本化，需要不同種類設備的集成化。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種適合高散熱性、高輸出、高集成化的半導體裝置及其制造方法。

作為本公開的一個方式的半導體裝置具備：基板，在表面具有電路元件以及與該電路元件連接的電極；以及外部連接用的導體突起部，設置在上述基板上，與上述電路元件或者上述電極連接，上述基板包含：第一基材以及配置在該第一基材上且材料與上述第一基材不同的第二基材，上述電路元件以及上述電極形成于上述第二基材，上述第一基材的熱傳導率比上述第二基材高。

作為本公開的一個方式的半導體裝置的制造方法，上述半導體裝置具備：基板，在表面具有電路元件以及與該電路元件連接的電極；以及外部連接用的導體突起部，設置在該基板上，與上述電路元件或者上述電極接觸并電連接，上述基板包含：第一基材以及配置在該第一基材上的第二基材，上述電路元件以及上述電極形成于上述第二基材，

上述半導體裝置的制造方法具有：

將在表面具有上述電路元件以及上述電極的半導體薄膜隔著剝離層形成于化合物半導體基材的工序；

通過蝕刻除去上述剝離層而將上述半導體薄膜從上述化合物半導體基材剝離的工序；

將構成上述第二基材的上述半導體薄膜接合在構成上述第一基材的元素半導體基材上的規定位置的工序；以及

形成外部連接用的導體突起部的工序，其中上述外部連接用的導體突起部設置在上述第二基材上，并與上述電路元件或者上述電極連接。

根據本發明，散熱性較高，由此可獲得小型并且高輸出的半導體裝置、或者高輸出并且小尺寸的半導體裝置。

附圖說明