[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112117246A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 青池將之
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

1.一種半導體裝置，具備：

基板，在表面具有電路元件以及與該電路元件連接的電極；以及

外部連接用的導體突起部，設置在上述基板上，與上述電路元件或者上述電極連接，

上述基板包含：第一基材、以及配置在該第一基材上且材料與上述第一基材不同的第二基材，

上述電路元件以及上述電極形成于上述第二基材，

上述第一基材的熱傳導率比上述第二基材的熱傳導率高。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第一基材是元素半導體的基材，

上述第二基材是化合物半導體的基材。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

上述第二基材比上述第一基材薄。

4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其中，

上述電路元件是在動作時發(fā)熱的發(fā)熱體，上述導體突起部設置在作為上述發(fā)熱體的上述電路元件的附近。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其中，

上述第二基材不從上述第一基材的外邊緣突出。

6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第一基材與上述第二基材之間，具備接合上述第一基材和上述第二基材的接合層，

上述接合層是熱傳導率比上述第二基材高的金屬。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其中，

上述接合層的彈性率比上述第二基材的彈性率低。

8.根據(jù)權利要求6或7所述的半導體裝置，其中，

在上述接合層與上述第二基材之間形成有上述接合層與上述第二基材的合金化層。

9.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第一基材與上述第二基材之間，具備接合上述第一基材和上述第二基材的接合層，

上述接合層是介電常數(shù)比上述第二基材低的電介質(zhì)。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置，其中，

上述接合層的彈性率比上述第二基材的彈性率低。

11.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第一基材與上述第二基材之間，具備接合上述第一基材和上述第二基材的接合層，

上述接合層是電阻率比上述第一基材高的絕緣體。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體裝置，其中，

上述接合層的熱傳導率比上述第一基材的熱傳導率高。

13.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第一基材與上述第二基材之間，具備接合上述第一基材和上述第二基材的接合層，

上述接合層是包含絕緣體層和金屬層的復合材料層。

14.根據(jù)權利要求13所述的半導體裝置，其中，

上述第一基材是Si基材，

上述絕緣體層是Si化合物層。

15.根據(jù)權利要求13所述的半導體裝置，其中，

上述絕緣體層的至少一部分是樹脂。

16.根據(jù)權利要求1～15中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第一基材的不與上述第二基材重疊的位置的表面形成第一基材側電極，

上述導體突起部與上述第一基材側電極連接。

17.一種半導體裝置的制造方法，

上述半導體裝置具備：基板，在表面具有電路元件以及與該電路元件連接的電極；以及外部連接用的導體突起部，設置在該基板上，與上述電路元件或者上述電極接觸并電連接，上述基板包含：第一基材以及配置在該第一基材上的第二基材，上述電路元件以及上述電極形成于上述第二基材，

上述半導體裝置的制造方法具有：

將在表面具有上述電路元件以及上述電極的半導體薄膜隔著剝離層形成于化合物半導體基材的工序；

通過蝕刻除去上述剝離層來將上述半導體薄膜從上述化合物半導體基材剝離的工序；

將構成上述第二基材的上述半導體薄膜接合在構成上述第一基材的元素半導體基材上的規(guī)定位置的工序；以及

形成外部連接用的導體突起部的工序，其中上述外部連接用的導體突起部設置在上述第二基材上，并與上述電路元件或者上述電極連接。