[發(fā)明專利]金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物及利用其的半導(dǎo)體元件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010564486.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN112175759A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞珍浩;鄭潤(rùn)勢(shì);金惠智;李相大
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 易安愛富科技有限公司
• 主分類號(hào): C11D7/32
• 分類號(hào): C11D7/32;C11D7/06;C11D7/26;C11D7/36;C11D7/60;C11D1/72;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/60;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;李書慧

本發(fā)明涉及金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物及利用其的半導(dǎo)體元件的制造方法，根據(jù)本發(fā)明，不僅對(duì)于金屬殘?jiān)覍?duì)于洗滌對(duì)象的表面污染物也可以提供優(yōu)異的清潔力，同時(shí)對(duì)于洗滌對(duì)象不會(huì)引起損傷而提高后續(xù)工序收率，從而可以用非常經(jīng)濟(jì)的方法提供可靠性高的半導(dǎo)體元件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物及利用其的半導(dǎo)體元件的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，隨著社會(huì)正式進(jìn)入信息化時(shí)代，用于處理和顯示大量信息的顯示(display)領(lǐng)域迅速發(fā)展，順應(yīng)于此，開發(fā)了各種半導(dǎo)體元件并引起了關(guān)注。作為像這樣的半導(dǎo)體元件的一個(gè)例子，可以舉出液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display device：LCD)、等離子顯示裝置(Plasma Display Panel device：PDP)、場(chǎng)發(fā)射顯示裝置(Field EmissionDisplay device：FED)、電致發(fā)光顯示裝置(Electroluminescence Display device：ELD)、有機(jī)發(fā)光元件(organic light emitting diodes：OLED)等。此外，它們以薄型化、輕量化、低耗電化等優(yōu)異的性能，迅速取代基本的顯像管。由此，對(duì)高分辨率和低能耗顯示面板的需求實(shí)際上持續(xù)增加。

在這樣的背景下，對(duì)低溫多晶硅材料也正在進(jìn)行了大量研究。這樣的材料能夠利用非晶硅在比較低的反應(yīng)溫度下形成，并且具有高的電子遷移率，從而可以提供高分辨率和低能耗的顯示面板。這樣的低溫多晶硅可以通過固相結(jié)晶(SPC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)和準(zhǔn)分子激光退火(ELA)等方法而制造。但是，制造低溫多晶硅時(shí)，在蒸鍍、蝕刻等工序中發(fā)生在基板表面附著各種有機(jī)物或無機(jī)物等污染物的情況，特別是，會(huì)發(fā)生留下難以去除的金屬殘?jiān)葐栴}。在以附著有這樣的污染物或留有金屬殘?jiān)鹊臓顟B(tài)處理后續(xù)的工序時(shí)，會(huì)發(fā)生膜的針孔或坑、布線的斷線或橋接等，會(huì)引起產(chǎn)品制造收率降低的問題。

因此，在上述的工序中，用于去除在基板表面發(fā)生的污染物的洗滌工序在各工序間進(jìn)行，為此對(duì)洗滌劑組合物已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究。與此相關(guān)，在對(duì)比文件1和對(duì)比文件2中公開了半導(dǎo)體器件用基板的洗滌劑組合物。但是，在這些專利文獻(xiàn)中公開的半導(dǎo)體器件用基板的洗滌劑組合物具有在洗滌工時(shí)對(duì)金屬殘?jiān)任廴疚锶コΣ怀浞值娜秉c(diǎn)。

由此，仍然需要不僅在工序中有效地去除在基板表面生產(chǎn)的金屬殘?jiān)也粫?huì)對(duì)洗滌對(duì)象造成損傷的洗滌劑組合物。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

(專利文獻(xiàn)0001)KR10-0503231 B1

(專利文獻(xiàn)0002)KR10-1166002 B1

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供可以有效地去除金屬殘?jiān)慕饘贇堅(jiān)コ孟礈靹┙M合物。

詳細(xì)地，提供不僅去除在洗滌對(duì)象表面存在的金屬殘?jiān)铮€可以有效地去除污染物的金屬殘?jiān)孟礈靹┙M合物。

詳細(xì)地，提供不會(huì)引起洗滌對(duì)象表面的損傷，同時(shí)在洗滌對(duì)象表面上不會(huì)留下殘留物的金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物。

本發(fā)明的另一目的在于提供包括利用上述金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物的洗滌工序的半導(dǎo)體元件的制造方法。

詳細(xì)地，提供通過有效地去除洗滌對(duì)象表面的金屬殘?jiān)臀廴疚锒愿叩墓ば蚴章侍峁﹥?yōu)異性能的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件的制造方法。

為了解決上述課題，在本發(fā)明中提供一種金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物，其中，包含：水、螯合劑、堿劑和鋅鹽，該鋅鹽為選自醋酸鋅、硝酸鋅、碳酸鋅、硫酸鋅和草酸鋅等中的一種或兩種以上。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的金屬殘?jiān)コ孟礈靹┙M合物可以適用于形成有含硅下部膜的基板。