[發明專利]金屬殘渣去除用洗滌劑組合物及利用其的半導體元件的制造方法

在審

• 申請號: 202010564486.7
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112175759A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 俞珍浩;鄭潤勢;金惠智;李相大
• 申請（專利權）人: 易安愛富科技有限公司
• 主分類號: C11D7/32
• 分類號: C11D7/32;C11D7/06;C11D7/26;C11D7/36;C11D7/60;C11D1/72;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/60;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;李書慧

1.一種金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，包含水、螯合劑、堿劑和鋅鹽，

所述鋅鹽選自醋酸鋅、硝酸鋅、碳酸鋅、硫酸鋅、草酸鋅和它們的組合。

2.根據權利要求1所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述金屬殘渣去除用洗滌劑組合物適用于形成有含硅下部膜的基板。

3.根據權利要求2所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述含硅下部膜的材質選自非晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅及它們的組合。

4.根據權利要求2所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述金屬殘渣去除用洗滌劑組合物對所述含硅下部膜的蝕刻速度為以下。

5.根據權利要求1所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述堿劑選自堿金屬氫氧化物、烷基氫氧化銨及它們的組合。

6.根據權利要求1所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述螯合劑選自多元羧酸、多元膦酸及它們的鹽。

7.根據權利要求6所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述螯合劑選自乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、丁二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、亞氨基二乙酸、N-(2-羥乙基)乙二胺三乙酸、乙二醇-雙(β-氨基乙基醚)-N,N,N',N'-四乙酸、1,2-雙(鄰氨基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸、腈三乙酸、環己烷-1,2-二胺四乙酸、1,3-二氨基-2-羥基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸、六亞甲基二胺-N,N,N',N'-四乙酸、羥基乙叉二膦酸、次氮基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、氨基(三亞甲基膦酸)和二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)及它們的鹽。

8.根據權利要求1所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，相對于所述金屬殘渣去除用洗滌劑組合物總重量，包含所述螯合劑0.01至10重量％、所述堿劑0.1至15重量％、所述鋅鹽0.01至5重量％、以及余量的水。

9.根據權利要求1所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物，其中，所述用于去除金屬殘渣的洗滌劑組合物進一步包含選自極性有機溶劑、表面活性劑及它們的組合中的添加劑。

10.一種半導體元件的制造方法，其中，包括：

在含硅下部膜上形成絕緣層后洗滌的步驟；

選擇性地蝕刻所述絕緣層而形成露出所述含硅下部膜的表面的接觸孔，并洗滌在所述接觸孔中露出的所述含硅下部膜表面的污染物的步驟；以及

將所述接觸孔用導電層填充而形成連接觸點后進行洗滌的步驟，

所述各步驟的洗滌步驟中用選自權利要求1～9中任一項所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物進行處理。

11.根據權利要求10所述的半導體元件的制造方法，其中，所述含硅下部膜的材質選自非晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅及它們的組合。

12.一種半導體元件的制造方法，其中，包括：

在基板上形成非晶硅層的步驟，

用選自權利要求1～9中任一項所述的金屬殘渣去除用洗滌劑組合物對所述非晶硅層進行處理而洗滌表面的污染物的步驟，

選擇性地使所述非晶硅層結晶化而形成多晶硅層的步驟，以及

在所述多晶硅層上形成絕緣層和金屬層的步驟。