[發(fā)明專利]面發(fā)射激光器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010564378.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN112152082A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上大輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 高培培;趙晶

本發(fā)明提供能夠進(jìn)行高速動(dòng)作的面發(fā)射激光器。面發(fā)射激光器(100)具有：基板(20)；下部接觸層(122)，設(shè)置在基板(20)上；半導(dǎo)體層的臺(tái)面(30)，在下部接觸層(122)上依次層疊有下部反射鏡層(123)、有源層(124)、上部反射鏡層(125)和上部接觸層(127)；圓環(huán)狀的電極(41)，設(shè)置在上部接觸層(127)上；光出射窗(31)，射出電極(41)的圓環(huán)的內(nèi)側(cè)的激光，上部反射鏡層(125)具有：第一區(qū)域(141)，包含電極(41)及光出射窗(31)的正下方；及第二區(qū)域(142)，包含設(shè)置有第一區(qū)域(141)的臺(tái)面(30)內(nèi)的第一區(qū)域(141)的周圍及比臺(tái)面(30)靠外側(cè)的區(qū)域，第一區(qū)域(141)的質(zhì)子的濃度比第二區(qū)域(142)的質(zhì)子的濃度低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及面發(fā)射激光器。

背景技術(shù)

被稱為面發(fā)射激光器的垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL：Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser：垂直腔面發(fā)射激光器)是在半導(dǎo)體基板上具有2個(gè)反射鏡層和被反射鏡層夾著的有源層并相對(duì)于半導(dǎo)體基板的基板面沿垂直方向射出光的激光器。在面發(fā)射激光器，在有源層及反射鏡層等形成臺(tái)面，將臺(tái)面的反射鏡層的一部分選擇性氧化而形成氧化層，由此形成電流限制構(gòu)造。公開了在這樣的面發(fā)射激光器中，通過向臺(tái)面區(qū)域注入質(zhì)子，減少寄生電容，能夠?qū)崿F(xiàn)高速動(dòng)作(非專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-33210號(hào)公報(bào)

非專利文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)1：Chang,C.,et al.,“氧化物注入VCSEL的寄生效應(yīng)和設(shè)計(jì)考慮.”文章,IEEE光子技術(shù)快報(bào),vol.13,No.12,Dec.2001,pp.1274-1276,XP-001076755

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

在面發(fā)射激光器中，要求進(jìn)一步的高速動(dòng)作。

用于解決課題的技術(shù)手段

根據(jù)本實(shí)施方式的一種觀點(diǎn)，面發(fā)射激光器具有：基板；下部接觸層，設(shè)置在基板上；半導(dǎo)體層的臺(tái)面，該半導(dǎo)體層的臺(tái)面在下部接觸層上依次層疊有下部反射鏡層、有源層、上部反射鏡層、上部接觸層；圓環(huán)狀的電極，設(shè)置在上部接觸層上；及光出射窗，射出電極的圓環(huán)的內(nèi)側(cè)的激光。進(jìn)一步地，上部反射鏡層具有：第一區(qū)域，包含電極及光出射窗的正下方；及第二區(qū)域，包含設(shè)置有第一區(qū)域的臺(tái)面內(nèi)的第一區(qū)域的周圍及比臺(tái)面靠外側(cè)的區(qū)域，第一區(qū)域的質(zhì)子的濃度比第二區(qū)域的質(zhì)子的濃度低。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開的面發(fā)射激光器，能夠進(jìn)行高速動(dòng)作。

附圖說明

圖1是本公開的實(shí)施方式的面發(fā)射激光器的俯視圖。

圖2是本公開的實(shí)施方式的面發(fā)射激光器的剖視圖。

圖3是用于比較的面發(fā)射激光器201的俯視圖。

圖4是用于比較的面發(fā)射激光器201的剖視圖。

圖5是用于比較的面發(fā)射激光器202的俯視圖。

圖6是用于比較的面發(fā)射激光器202的剖視圖。

圖7是用于比較的面發(fā)射激光器203的俯視圖。

圖8是用于比較的面發(fā)射激光器203的剖視圖。

圖9是示出面發(fā)射激光器的寄生電容及截止頻率的圖。

圖10是本公開的實(shí)施方式的面發(fā)射激光器的制造方法的工序圖(1)。